封帽
发布时间:2017/6/4 18:48:35 访问次数:1762
封帽是将管座与管帽焊接在一起,完成晶体管最后的封装,封装后的晶体管应气密,管Jb与外界环境隔离,不受环境影响。
采用电容储能式焊机进行封帽。I作时通过在管帽和管座的边缘间产生电弧、高温,并在垂直FGH40N60UFDTU方向的(气体和静电)压力作用下使管帽和管座焊接在一起。
晶体管电学特性测量
晶体管电学特性测量是对制作好的晶体管进行最后的性能测量,因此又称成测。通过测量了解制各的晶体管的击穿电压.
测量原理
根据晶体管原理,对晶体管的击穿电压及反向电流分别定义如下。
集电极开路
发射极一基极(发射结)之间加反向电压,如图A1o所示是几Ⅺ、B⒕l⒑测试原理图。对应不同的反向电压测其反向电流值,将相应的点绘成曲线,即为发射结的反向特性`Ⅰ曲线。在规定电压下的反向电流(或称截止电流),反向击穿电压记为B吼b若将图肛10的电源反向,则发射结处于正偏。此时改变不同的正向电压,可得不同的正向电流值,由此可测出发射结的正向特性V-I曲线。
封帽是将管座与管帽焊接在一起,完成晶体管最后的封装,封装后的晶体管应气密,管Jb与外界环境隔离,不受环境影响。
采用电容储能式焊机进行封帽。I作时通过在管帽和管座的边缘间产生电弧、高温,并在垂直FGH40N60UFDTU方向的(气体和静电)压力作用下使管帽和管座焊接在一起。
晶体管电学特性测量
晶体管电学特性测量是对制作好的晶体管进行最后的性能测量,因此又称成测。通过测量了解制各的晶体管的击穿电压.
测量原理
根据晶体管原理,对晶体管的击穿电压及反向电流分别定义如下。
集电极开路
发射极一基极(发射结)之间加反向电压,如图A1o所示是几Ⅺ、B⒕l⒑测试原理图。对应不同的反向电压测其反向电流值,将相应的点绘成曲线,即为发射结的反向特性`Ⅰ曲线。在规定电压下的反向电流(或称截止电流),反向击穿电压记为B吼b若将图肛10的电源反向,则发射结处于正偏。此时改变不同的正向电压,可得不同的正向电流值,由此可测出发射结的正向特性V-I曲线。
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