射频溅射(RF№tltte。llbo)是指激发气体等离子化的电场是交变电场的溅射方法。1966年IBM公司首先研发出了射频溅射技术,它可以溅射绝缘介质。 L78M05CDT这一溅射方法的出现解决了用直流溅射工艺无法制各不导电化合物薄膜的问题。图⒏23所示是射频溅射装置示意图。

   射频是无线电波发射范围的频率,为了避免干扰电台丁作,溅射专用频率规定为13.56MHz。 在射频电源交变电场作用下,气体中的电子随之发生振荡,致使气体等离子化。而安装靶的和放置衬底的两个电极上连接的是射频电源,对于绝缘介质靶,当靶在射频电压的正半周时,电子流向靶面,中和其表面积累的正电荷,并且积累电子,使其表面呈现负偏压,导致在射频电压的负半周期时吸引正离子轰击靶材,从而实现溅射。

   既然射频溅射的两个电极是连接在交变的射频电源上,应该就没有阴、阳极之分了。而实际上,这两个电极是不对称的。如图孓23所示,放置衬底的电极与真空室外壳相连并接地,另一个电极安装靶。放置衬底的电极相对于安装靶的电极而言,面积大得多。基于离子鞘效应,两个电极的电位加,溅射放电电流增加,薄膜淀积速率提高。但工作气体的气压升高达某一值时,飞溅出来的靶原子在飞向衬底的过程中将会受到过多的散射,因而淀积到衬底上的概率反而又会下降。因此,随着工作 气体的气压变化,淀积速率会出现一个极大值。