晶圆电测是非常复杂的测试,很多因素会对成品率有影响。

   1.晶圆直径和边缘芯片(Edge die)

   半导体工业从引入硅材料起就使用圆形的晶圆。第一片晶圆直径还不到1英寸(inch)。 H12WD4875从那时候起,晶圆的直径就保持着持续变大的趋势。⒛世纪80年代末,150mm(6inch)是ULsI集成电路标准;⒛世纪⒛年代,⒛0mm晶圆被开发出来并投入生产。在21世纪初,直径300mm(12inch)的晶圆已投入使用。

   2.晶圆直径和晶体缺陷

   晶体位错是指在晶圆中,由晶格的不连续性造成的缺陷点。位错在晶体的各处均存在,并且与污染物和工艺缺陷密度一样,对晶圆的电测成品率造成影响。晶圆的生产过程也会造成晶体位错。它们发生(或成核)在晶圆边缘有崩角和磨损的地方。这些崩角和磨损是由较差的操作技术和自动化操作设备造成的。被磨损的区域造成了晶体位错。在后续的热处理中,晶体位错会向晶圆中心蔓延,例如

氧化和扩散工艺。晶体位错线伸入晶圆内部的长度是一个晶圆热力学函数。也就是说,晶圆经受越多的工艺步骤或越多的加热处理,晶体位错的数量就越多,长度就越长,也就会影响更多数量的芯片。当晶圆直径增大时,就会使晶圆中心保留更多的未受影响的芯片。