晶圆表面的缺陷通过使部分芯片发生故障从而导致整个芯片失效。有些缺H12WD4890陷位于芯片的不敏感区,并不会导致芯片失效。然而,由于日益减小的特征工艺尺寸和增加的元器件密度,电路集成度有逐渐升高的趋势,这种趋势使得任何给定缺陷落在电路有源区域的可能性增加,晶圆电测的成品率将会降低。

   特征图形尺寸和缺陷尺寸

   更小的特征工艺尺寸从两个主要方面使维持一个可以接受的晶圆电测成品率变得更困难。第一,较小图像的光刻比较困难;第二,更小的图像对更小的缺陷承受力很差,对整体的缺陷密度的承受力也变得很差。一项评估指出,如果缺陷密度为每平方厘米1个缺陷,则特征工艺尺寸为0.35um的电路的晶圆电测成品率会比相同条件下的0.5um电路低10%。