光刻掩模版缺陷(Defc∝of photo mask)。光刻掩模版是电路图样的母版,在光刻工艺中被复制到晶圆表面上。 H12WD4850PG光刻掩模版的缺陷会导致晶圆上的缺陷或电路图样变形。一般有3种掩模版引起的缺陷。第一种是污染物,如在掩模版透明部分上的灰尘或损伤。在进行光刻时,它们会将光线挡住,并且像图案中不透明部分一样在晶圆表面留下影像。第二种是石英板基中的裂痕,它们同样会挡住光刻光线或散射光线,导致错误图像或者扭曲的图像。第三种是在掩模版制作过程中发生的图案变形,包括针孔(Pinhole)或铬点(α spot)、图案扩展(Residue)或缺失(NOtch)、图案断裂(Gap)或相邻图案桥接(Bridgc),如图3,12所示。