- RS1O~s测试:瞬变电磁场辐射敏感度测试。2017/6/5 19:44:35 2017/6/5 19:44:35
- RS1O~s测试:瞬变电磁场辐射敏感度测试。对于汽车及车载电子、电气零C0805C101J5RACAUTO部件产品,基本的EMS测试项目有:・符合⒙07...[全文]
- 真空镀铝 2017/6/4 18:35:21 2017/6/4 18:35:21
- 经过基区扩散和发射区扩散形成了llipn型晶体管的管Jb,在基区和发射区窗口制各能形成欧姆接触的内电极,发射极n+si掺杂浓度可达102。atom√cm3,而Al与⒈⒊接触时,当掺杂浓度高于5×...[全文]
- 磷主扩散2017/6/4 18:30:56 2017/6/4 18:30:56
- 磷主扩散(1)陪片摆放在磷源两侧,推入扩散炉恒温区,炉温1150℃,氮气流量0,5L/min,扩散时间在15m沆左右调整。FFSH40120ADN_F155(2)取出...[全文]
- WLR 硅片级可靠性测试2017/6/3 22:31:50 2017/6/3 22:31:50
- 作为内建质量监控手段的一部分,硅片级可靠性测试(WafcrLevelReh乩ihy,WLR)在集成电路研发和生产中已经得到应用,目的在于将错误在更早的阶段检测出来,T74LS367A并加以控制。...[全文]
- 目前市场上出现的BGA封装,按基板的种类2017/6/1 20:39:09 2017/6/1 20:39:09
- 缺点:①结构及制作较QFP复杂,成本、价格相对较高。②对热较敏感,热匹配性较差。PCA9536D③焊球在封装体下面,焊接质量不能直观检测,检测要用X射线设备,检测费用较高。目前市场...[全文]
- 芯片互连技术2017/6/1 20:31:01 2017/6/1 20:31:01
- 芯片互连技术主要有引线键合(WB)、载带自动焊(TAB)和倒装焊(FCB)3种。早期还有梁式引线结构焊接,因其工艺十分复杂,成本又高,不适于批量生产,故已逐渐废弃。PBSS5540Z下面仅介绍W...[全文]
- 光刻工艺检测2017/5/31 21:50:16 2017/5/31 21:50:16
- 对光刻工艺的检测包括:掩膜版和硅片平整度检测;掩膜版和硅片上图形的CD(Ch0cdDimen⒍on)尺寸检测;光刻胶厚度及针孔检测;掩膜版缺陷及对准检测.1平整度检测...[全文]
- 埋层的制备2017/5/31 21:07:55 2017/5/31 21:07:55
- 埋层的制备为了减少双极型晶体管收集区的串联电阻,并减少寄生plllD管的影响,在作为双极型晶体管的收集区的外延层和衬底间通常需要制作埋层。首先在衬底上生长二氧化硅,并进行M054L...[全文]
- 连布线所占芯片面积已成为限制其发展的重要因素之一2017/5/30 11:56:35 2017/5/30 11:56:35
- 随着集成电路技术的发展,ULSI的集成度不断提高,互连布线所占芯片面积已成为限制其发展的重要因素之一。而随着集成电路性能的不断提高,PAM2301CAAB330电路丁作频率已进人GHz时代,互连...[全文]
- 钨的刻蚀2017/5/28 15:05:52 2017/5/28 15:05:52
- 因为金属Al的导电性极好,而且易以溅镀的方式生长,所以川是半导体工艺中最常用也是最便宜的金属材料。但因为溅镀方法的台阶覆盖性较差,OPA334AIDBVT当进入亚微米领域(即金属线宽低于0,5u...[全文]
- 氮化硅的干法刻蚀2017/5/28 15:00:40 2017/5/28 15:00:40
- 在ULSI工艺中,主要用到两种基本的⒊lN扌:一种是在二氧化硅层上通过LPCVD淀积弘N4薄膜,OPA244NA然后经过光刻和干法刻蚀形成图形,作为接下来氧化或扩散的掩蔽层,但是并不成为器件的组...[全文]
- 二氧化硅的湿法刻蚀2017/5/28 14:41:06 2017/5/28 14:41:06
- 由于HF可以在室温下与s02快速反应而不会刻蚀~Sl基材或多晶硅,所以它是湿法刻蚀sO的最佳选择。OM3805HE043EUM使用含有HF的溶液来进行s02的湿法刻蚀时,在上述反应过程中,HF不...[全文]
- 同步辐射X射线光刻系统的基本组成2017/5/26 21:25:47 2017/5/26 21:25:47
- 在电子以接近于光速做回旋运动时,会产生很强的电磁辐射。同步辐射为连续谱光源,如果取出其中特定波长范围的X射线,就可以用于曝光。SDCL1005C2N7STDF同步辐射X射线光刻系统的基本组成如图...[全文]
- 根据线条在掩膜中的结构对它的局部宽度进行调整2017/5/26 21:10:49 2017/5/26 21:10:49
- 光学邻近效应校正的种类有线条偏置法、形状调整法、加衬线法、微型灰度法。例如,SD42560E根据线条在掩膜中的结构对它的局部宽度进行调整,或者在线条两边或内部根据周围图形排布情况增加透光或不透光...[全文]
- 电子束光刻胶2017/5/26 20:55:54 2017/5/26 20:55:54
- 电子束光刻胶也是涂在衬底表面用来实现图形传递的物质,通过电子束曝光使得光刻胶层形成所需要的图形。通常用于非光学光刻中的光刻胶由长链碳聚合物组成。SC-20S在相邻链上碳聚合物接收电子束照射的原子...[全文]
- 玻璃基板的选择与制备2017/5/25 21:13:42 2017/5/25 21:13:42
- 铬版的质量同所用的玻璃衬底有着密切的关系。铬版的某些缺陷往往是由于玻璃基片表面的缺陷引起的,而这些表面缺陷在清洗过程中是无法消除的。ACD0900S3CTR它们可以使铬版膜蒸发不上,或者覆盖在表...[全文]
- 光刻工艺对掩模板的质量要求归纳2017/5/25 21:10:06 2017/5/25 21:10:06
- 为了得到好的光刻效果,掩模板的质量必须满足光刻工艺的一定要求。集成电A3967SLBTR-T路生产中,光刻工艺对掩模板的质量要求归纳有如下几点:①构成图形阵列的每一个微小图形要有高...[全文]
- 高灵敏度的光刻胶2017/5/23 21:35:44 2017/5/23 21:35:44
- 一般来说,在Ulsi中对光刻技术的基本要求包括5个方面:①高分辨率。随着集成电路集成度PMBT2222A的不断提高,加工的线条越来越精细,要求光刻的图形具有高分辨率。在集成电路工艺中,通常把线宽...[全文]
- Si02作为保护膜时为什么需要采用低温工艺2017/5/23 21:32:12 2017/5/23 21:32:12
- 等离子体是如何产生的?PECvd是如何利用等离子体的?Si02作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温⒊02工艺有哪些方法?它们降PMBS3904低制各温度的原理是什么?...[全文]
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