经过基区扩散和发射区扩散形成了lli pn型晶体管的管Jb,在基区和发射区窗口制各能形成欧姆接触的内电极,发射极n+si掺杂浓度可达102。atom√cm3,而Al与⒈⒊接触时,当掺杂浓度高于5×10”atoms/cm3时,就可形成欧姆接触,所以,对于llpn型晶体管发射极来说可以形成欧姆接触。而Al本身就是p型杂质,与阝⒊的接触是欧姆接触,所以,Al与基极也形成了欧姆接触。淀积铝膜可采取真空蒸镀或溅射工艺。FGA50T65SHD在此,采用真空蒸镀工艺。

   工艺设备与工艺条件

   工艺设各与材料:真空蒸镀机,钨丝加热器,铝/硅膜厚测量仪;纯度在5N以上的铝丝。

    工艺条件:真空室的真空度控制在103toⅡ以上,衬底温度约140℃,蒸发功率为10kW,控制铝膜厚度在0.8~1.2um之间。

   具体操作方法

   (1)铝源清洗:采用甲苯、丙酮、无水乙醇各超声波清洗5min,再用磷酸漂去表面氧化层,取出后用无水乙醇脱水,将其浸泡在无水乙醇中备用。

   (2)真空镀铝前,清洗三次光刻后的硅片(方法同前),在电炉上烘干备用。

   (3)如果光刻后的硅片放置时间较长,可用氢氟酸(HF:H20=1△0)溶液漂去引线孔自然生长的氧化膜,再用超纯水清洗十净。注意:漂过的引线孔在烘干时如果温度过高,时间过长,百1再次生长出较厚的本征氧化膜。

   (4)打开蒸镀机的真空室,将硅片架在衬底支架上,再将约1g的铝丝在加热器上挂好,放下真空罩,开始抽真空。

   (5)当真空度达10ˉtorr时,加热烘烤硅片,约140℃时停止烘烤,开加热器,数秒后打开挡板镀铝,当加热器上铝将要蒸发完时关断挡板,停止加热

   (6）真空室温度降至室温后才可取出硅片,关机。

   (7)用铝/硅膜厚测量仪测量铝膜厚度。