- 冷蒸是指衬底不加热的蒸镀方法2017/5/21 18:31:03 2017/5/21 18:31:03
- 衬底情况是指进行蒸镀之前,必须对衬底硅片已进行完的△艺操作有所了解,掌握衬底耐温情况,OPA227P从而确定采取冷蒸还是热蒸。冷蒸是指衬底不加热的蒸镀方法,相应地,热蒸是指衬底加热的蒸镀方法。进...[全文]
- 真空度的测量 2017/5/21 17:38:05 2017/5/21 17:38:05
- 真空系统中的气体压力,即真空度可以用多种不同的真空计图⒏6涡轮分子泵剖视图(又称真空规)来测量。常用的真空计主要有电容压力计、BCM5906MKMLG热偶规、电离规和复合真空计。(...[全文]
- LPCⅤD-WSir淀积2017/5/20 22:17:50 2017/5/20 22:17:50
- WSir薄膜在Po~odc的存储器芯片中被用做字线和位线,WSi也可作为覆盖式钨的附着层。WSⅡ是在集成电路工艺中应用最多的硅化物。AD9434BCPZ-500通常,WSiJ薄膜采...[全文]
- 以TEOs为硅源淀积sio22017/5/19 21:49:43 2017/5/19 21:49:43
- 同样可以用TEOS源淀积PEC`⊙sio薄膜,记为PETEOS。这种⒊O2薄膜中会存在残余碳污染,K4B2G0846B-HCF7如果在气体人口02/TEOS流量比足够大的情况下,残余碳污染很小;...[全文]
- 中科院沈阳科仪中心制造的PECVD设备2017/5/19 21:20:53 2017/5/19 21:20:53
- 如图⒎21所示是中科院沈阳科仪中心制造的PECVD设备。主要是由进出片室系统、淀积室、气K4B1G0846F-HCK0路控制系统、电控系统、计算机控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成的。该设...[全文]
- 直流辉光放电时各参量的分布2017/5/19 21:10:41 2017/5/19 21:10:41
- 粒子右侧添加符号“*”,表示该粒子处于激发态,有较高的能量。K4B1G0846E-HCH9在上述过程中还伴随着光子的激发。电子和离子的平均运动速率不同使得处于等离子体中包括电极在内...[全文]
- CVD的气相质量输运过程与气相外延时的相似2017/5/18 21:23:37 2017/5/18 21:23:37
- CVD的气相质量输运过程与气相外延时的相似,在前面3.2节中已对Dg和ε进行了分析,两者OMAPL138EZWTD4都是温度的函数,有Dg∞Tl~1:,而T升高a略有增大,综合效果是薄膜淀积速率...[全文]
- 按照淀积温度分类2017/5/18 21:13:59 2017/5/18 21:13:59
- 如果按照淀积温度分类,有低温CVD(一般在200~500℃),中温CⅥⅨ多在500~800℃)和高温CⅥⅨ多在8O0℃以上,目前已很少使用),不同工艺温度下即使制备的是同种材料薄膜,其性质、用途...[全文]
- 薄膜在微电子分立器件和集成电路中用途广泛2017/5/18 21:01:01 2017/5/18 21:01:01
- 薄膜在微电子分立器件和集成电路中用途广泛,无论是半导体薄膜,介质薄膜,还是金属薄膜,都OM5234/FBB是不可或缺的。微电子工艺中用到的薄膜从微观结构上看,有单晶薄膜,多晶薄膜和非晶薄膜;从薄...[全文]
- si中二次缺陷随离子注入剂量及退火温度变化的情况2017/5/16 21:35:06 2017/5/16 21:35:06
- 表64给出s中二次缺陷随离子注人剂量及退火温度变化的情况。注人温度都取室温,能量为40~100keV。M74VHC1GT50DFT1G从表中可得到以下几个主要结论:杆状缺陷只在以较低的剂量注人B...[全文]
- 磷的退火特性2017/5/16 21:28:11 2017/5/16 21:28:11
- 图626表示磷的等时退火特性,虚线所M74HC4066RM13TR表示的是损伤区还没有变为非晶层时的退火特性,实线则表示非晶层的退火特性。当剂量从3×1012olrls/cm2增到3×10noⅡ...[全文]
- 扩散工艺质量与检测 2017/5/14 18:32:06 2017/5/14 18:32:06
- 在芯片生产或研制过程中,对扩散工艺本身来说,其主要目的就是获得符合要求的、质量良R3112N421A-TR-F好的扩散层。具体地说,就是控制好各次扩散的结深、表面浓度和杂质分布,获...[全文]
- 相继扩散的不同杂质的扩散系数2017/5/14 18:20:22 2017/5/14 18:20:22
- 在硅中的固溶度足够高,要大于所需要的表面浓度;扩散系数的大小要适当,杂质扩散便于控制。R3111N091A-TR例如,发射区磷扩散,对于一般晶体管来说是能够满足要求的。但对于浅结(如0.2um以...[全文]
- 恒定表面源扩散2017/5/13 18:35:14 2017/5/13 18:35:14
- 恒定表面源扩散是指在扩散过程中,硅片表面的杂质浓度Cs始终是保持不变的。恒定表面MAX4845ELI+T源扩散是将硅片处于恒定浓度的杂质氛围之中,杂质扩散到硅表面很薄的表层的一种扩散方式,目的是...[全文]
- 填隙一替位式扩散2017/5/13 18:27:58 2017/5/13 18:27:58
- 许多杂质既可以是替位式也可以是填隙式溶于晶体的晶格中,并通过这两类杂质的联合移动来扩散。MAX2769ETI+T一个替位原子可能离解成一个填隙原子和一个空位,所以这两种扩散总是相互关联的。这类扩...[全文]
- 氧化层错的显示方法是将氧化后的硅片用稀HF泡掉氧化层2017/5/12 22:04:09 2017/5/12 22:04:09
- 氧化层错的显示方法是将氧化后的硅片用稀HF泡掉氧化层,然后用⒊rtl腐蚀液(100m1'H20+50gClO3+75mI'HF)或Dash溶液(HF:CH3CoC)H:HN()3=1:13:3)...[全文]
- 钠等杂质2017/5/12 21:17:13 2017/5/12 21:17:13
- 钠是半导体芯片生产中应特别提防但又经常遇到的一种杂质,进入⒊O2中的Na|、H+具有在与⒏(或电极)的界面处堆积的性质。实验发现,氧化层中如含有高浓度的钠,则线性和抛物型氧化速率常数明显变大。钠...[全文]
- 水汽压力为85kPa时的硅的氧化速率常数2017/5/11 22:42:17 2017/5/11 22:42:17
- 为了解释线性速率常数与硅表面晶向的关系,有人提出了ˉ个模型。根据这KS0106Q个模型,在二氧化硅中的水分子和⒏/SiO2界面的s⒊键之间能直接发生反应。在这个界面上的所有的硅原子,一部分和上...[全文]
- 干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛2017/5/11 22:25:58 2017/5/11 22:25:58
- 在硅片进出氧化区域的过程中,要注意硅片上温度的变化不能太大,否则硅片会产生扭曲,引起很大的内应力。KAQY210硅热氧化T匚艺,按所用的氧化气氛可分为3种方式:干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。下面...[全文]
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