如图⒎21所示是中科院沈阳科仪中心制造的PECVD设备。主要是由进出片室系统、淀积室、气K4B1G0846F-HCK0路控制系统、电控系统、计算机控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成的。该设各是将几个积室组合,用于不同类型薄膜的淀积。淀积室的极限真空度可达6.7×105Pa,射频功率的频率是常规的13.56MHz,最高控温温度是400℃。

   图⒎21 中科院沈阳科仪中心制造的PECVD设备

   PECVD主要工艺过程为:将准备好的衬底硅片放在基座上(如图719所示的下电极上),关闭淀积室,开启真空泵对淀积室抽真空,同时通冷却循环水,基座升温;当真空度和基座温度达到要求时,将反应气体通人淀积室,调整各种气体的进气流量和工作压力至适当,打开射频功率发生器并调整输出功率,气体辉光放电,薄膜淀积开始。

   淀积室气体非平衡辉光放电过程中产生的高能电子,在射频电场作用下,在上、下极板之间振荡,碰撞激活气体分子产生中性原子基团或电离物质。以硅烷为例,有如下的化学反应方程式。