如果按照淀积温度分类,有低温CVD(一般在200~500℃),中温CⅥⅨ多在500~800℃)和高温CⅥⅨ多在8O0℃以上,目前已很少使用),不同工艺温度下即使制备的是同种材料薄膜,其性质、用途也有所不同,如CVD工艺制各的s3、 OMAPL138BZCE3薄膜,低温工艺轧N亻薄膜质地较疏松、密度低、抗腐蚀性较差,通常淀积在芯片表面作为钝化膜、保护膜;中温工艺s3N1薄膜密度高、抗腐蚀性好,主要作为选择性氧化和各向异性腐蚀的掩蔽膜。

   如果按照化学反应的激活方式进行分类,有热C、V、等离子增强CXT,、激光诱导oD、微波CVD等。热Cˇ0是通过加热衬底激活并维持在衬底上的化学反应来淀积薄膜的方法。N℃`⊙、u℃、D都

是热C、0;而N(rˇD是采用化学稳定性较差的金属有机物作为反应剂,在较低温度,金属有机物和其他反应剂就能发生化学反应,从而淀积薄膜,实际上也是一种热激式的C、0。等离子增强C、0是将电能转化为化学能,激活反应气体使其等离子化,从而在较低温度淀积薄膜的方法。同理,激光诱导、微波等C、⊙是将激光能、微波能转化为化学能进行薄膜淀积的。采用其他能量激活并维持化学反应进行,一方面可以降低工艺温度,另一方面制各的薄膜又具有某种特有性质,如PECˇV薄膜的台阶覆盖特性较好,这是等离子化的反应气体粒子对薄膜生长表面撞击的结果。

   目前CVD已经在集成电路工艺中得到了广泛的应用,特别是在绝缘介质薄膜,多晶半导体薄膜等宽范围材料的薄膜制各方面,它已经成为首选的淀积方法。另外,在超大规模集成电路的金属化系

统中用到的钨、硅化物等金属、金属硅化物薄膜,也采用了化学气相淀积I艺制各。这主要是因为CVD工艺制各的薄膜具有较好的性质,如附着性好、薄膜保形覆盖能力较强等。近几年发展起来的

亚微米、深亚微米技术中人们所关心的在已有微小接触孔或有高深宽比结构的衬底表面能很好覆盖的薄膜的制各,通过CVD工艺这些问题都得到了很好的解决。