粒子右侧添加符号“*”,表示该粒子处于激发态,有较高

的能量。 K4B1G0846E-HCH9在上述过程中还伴随着光子的激发。电子和离子的平均运动速率不同使得处于等离子体中包括电极在内的任何物体的电位都低于周围的等离子体,即浸没于等离子体中的物体相对于等离子体而言是负电位,这种现象称为等离子鞘。这是因为电子平均运动速率远快于离子,对于等离子体中的物体来说电子对其撞击的频率就远高于离子,这就相当于物体表面存在一定密度的电子,而这表面电子对其他电子又有排斥作用,并增加了离子的撞击频率,最终,在物体表面存在剩余(负)电荷密度,同时电子和离子的撞击也达到了动态平衡。在图715放电管内的正、负极板表面也存在等离子鞘,如在电位分布图中正极板附近电位相对于等离子体有所下降,而负极板附近的电位是等离子鞘和负极板电位的叠加。

   直流气体辉光放电以电容方式激发气体,电极必须是导电材料。等离子体的能量密度较低,放电电压较高,电子和离子只占粒子总数的万分之一左右,自持放电需要有二次电子发射来维持。等离子体的电流密度与阴极材料和气体的种类有关,此外,气体的真空度、阴极板的形状及放电管结构对电流密度的大小也有影响。电流密度随气体真空度的增加而增大,凹面形阴极的电流密度要比平板形阴极大。

   PECvd是利用了等离子体技术的集成电路工艺,产生等离子体的反应器的结构、电极形状等就是依据等离子体特点进行设计的。当前.在集成电路工艺设备中利用直流气体辉光放电现象产生等离子体的已不多见。