对光刻工艺的检测包括:掩膜版和硅片平整度检测;掩膜版和硅片上图形的CD(Ch0cd Dimen⒍on)尺寸检测;光刻胶厚度及针孔检测;掩膜版缺陷及对准检测.

   1 平整度检测

   掩膜版和硅片的平整度是光刻微细加工中的两个重要参数。

平整度测试装置分为接触式和非接触式两种。接触式可采用螺旋分厘卡等机械量具, M4A3-64/32-12VI目前大多采用非接触式的专用平整度测试设备。非接触式种类很多,按其原理可分为电容法、激光干涉法、声波法和激光扫描法等。

   2线宽测量

   在光刻工艺中,为了得到满足工艺规范要求的图形CD尺寸,必须控制好掩膜版以及硅片显影、腐蚀等各步工序的线条宽度和间距,因此线宽的跟踪测量是必不可少的。测量线宽的方法和设备很多,主要有以下两种。

   (1)目镜测微计。采用高精度螺旋千分尺测微目镜代替普通目镜,在400倍下测量线宽,精度为0,3~0.5um,由于图形边缘有过渡区和人工判读数据,因此重复性很差,不宜大量检测。

   (2)电子显微镜。精度高,即使计人放大倍率误差和畸变,以及考虑到集成电路表面的实际结构,测量精度也可达0.02um。一种低压电子束测量装置可以测出0.1um的线宽,用于亚微米级的CD尺寸测量是很理想的。