- 自组装纳米层技术2016/11/6 17:55:57 2016/11/6 17:55:57
- 自组装技术一般是首先在蓝宝石衬底表面形成一层由sio2纳米球有序排列构成的自组装膜,G2PM109NLF然后以有序排列的Si02阵列作为掩膜,℃P亥刂蚀蓝宝石表面,可形成纳米图形化的表面。so2...[全文]
- 光子晶体技术(PhotoniC Crystals)2016/11/6 17:50:05 2016/11/6 17:50:05
- 从光提取技术的角度来说,蓝宝石衬底图形化的制备正在往纳米级别发展。纳米量G24202MK-R级的图形化衬底除了具有改变光出射方向的作用外,还具有微米量级图形化衬底所没有的特点,即光子晶体的禁带效...[全文]
- 剥离过程后的芯片表面2016/11/5 19:23:54 2016/11/5 19:23:54
- 蒸镀。在显影后的外延片表面镀上一层或多层金属(如Au、№、Al等),一般将芯片置于高温真空下,JANTX2N7236将熔化的金属蒸着在芯片上。蒸发镀膜属于真空镀膜技术,是在真空室内,通过加热蒸发...[全文]
- 外延片光致发光光谱及扫描成像系统2016/11/5 19:14:54 2016/11/5 19:14:54
- 外延片光致发光光谱及扫描成像系统光致发光是指物体依赖外界光源的照射,从而获得能量,产生激发导致发光的现象。JANTX2N6770从本质上讲,光致发光是材料中的电子吸收光子的能量跃迁...[全文]
- 蓝宝石(Sapphirc)2016/11/4 21:44:34 2016/11/4 21:44:34
- 蓝宝石是目前用于GaN基LED生长最普遍的衬底,也是商业化产品的主流。尽管蓝HAT1128R宝石和氮化镓材料存在较大的晶格失配和热膨胀系数的差异,由于蓝宝石晶体本身质量发展比较完美,研究比较广泛...[全文]
- GaN(氮化镓)LED和lnGaN(氮化铟镓)LED(III-Ⅴ族)2016/11/3 21:45:06 2016/11/3 21:45:06
- 属于Ⅲ-V族化合物的GaN材料的研究与应用是如今全球半寻体研究的前沿和热点,A1280APQ160C是制备微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。G扒半导体材料具有宽直接带隙(3.39eV)、强...[全文]
- 色温是描述白光LED特性的另一个重要参数2016/11/2 22:42:06 2016/11/2 22:42:06
- 色温是描述白光LED特性的另一个重要参数,特定色温的光环境对人的心理和生理均有较明显的影响。LM3478MMX常见传统光源的色温。色温3300K以下有温暖的感觉,白炽灯的色温为2850K,让人感...[全文]
- 实现高光通量的LED光源2016/11/2 22:35:33 2016/11/2 22:35:33
- 为了用LED代替其他电光源,获得更高的输出光通量,一般需要把多颗LED集成安装或集成封装为一体构成光源模组。目前,有三种方法实现高光通量的LED光源。LM3445MM第一种是把多个已封装的LED...[全文]
- 封装结构LED的自光发光原理2016/11/2 22:09:40 2016/11/2 22:09:40
- 上述封装结构LED的自光发光原理为:蓝光LED辐射波长为H~s0~4ωl1111的光子,LM3404HVMAX其中一部分蓝光光子通过透明树脂直接发射到空气中,另一部分被融入树脂的黄色荧光粉吸收并...[全文]
- 电流随正向偏压的变化率2016/11/2 21:49:50 2016/11/2 21:49:50
- 由图可见,p-n在正向偏压电压小于开启电压/TH时,电流近乎为0,正向偏压大于开启电压/TH时,电流随电压的增大而急剧增加。串联电阻减缓了电流随正向偏压的变化率,LM2903DR而等效并联电阻抬...[全文]
- 理想发光二极管的I-V特性2016/11/2 21:48:00 2016/11/2 21:48:00
- 理想发光二极管的I-V特性可由shockley方程式表示如下:式中,凡为反向饱和电流,与电子与空穴的扩散系数、扩散长LM2733YMFX度和热平衡少子浓度有关;/为外加偏压,”0为...[全文]
- AlGaAs/GaAs系红橙光DH-LED2016/11/1 21:03:30 2016/11/1 21:03:30
- 以图4-6所示的AlGaAs/GaAs系的红橙光DH-LED为例。图⒋6(a)为DH结构示意图,图(b)为未加偏压时的热平衡态下的DH能带图,此时,三种材料具有统一的费米能级助。M51958B为...[全文]
- 双异质结发光二极管 2016/11/1 21:01:23 2016/11/1 21:01:23
- 实用化的LED均为双异质结结构LED(Doub⒗Hctcro-structurc,简称为DH-LED)或量子阱结构LED(QuantLlmWc11,简称为QWˉLED)°典型的DH...[全文]
- 量子阱及特性 2016/11/1 20:31:34 2016/11/1 20:31:34
- 随着异质结构研究的深入和外延生长技术的进步,量子阱结构被开发并应用于半导体发光器件。M25P20-VMN6TPB量子阱结构可以看作双异质结构中较窄禁带中间层材料薄化的延伸和发展。用两种禁带宽度不...[全文]
- SiC是间接带隙材料2016/10/31 20:43:16 2016/10/31 20:43:16
- InGaA妒系列:InxGa1~AsyP1刁四元合金中随组分豸和y的变化,发光波长可从GaAs的870nm增加到InAs的3.5um,其中包含重要的1,3um和l。55um通信波段。AD9767...[全文]
- 在出现了空间电荷区以后,在空间电荷区就形成了一个内建电场2016/10/31 20:19:45 2016/10/31 20:19:45
- 当p型半导体和n型半导体结合在一起时,由于p型区内空穴很多电子很少,而n型区内电子很多而空穴很少,在它们的交界面处就出现了空穴和电子的浓度差异。AD9218BSTZ-105在载流子浓度梯度驱动下...[全文]
- 光谱色的饱和度是最高的2016/10/29 20:46:45 2016/10/29 20:46:45
- 光谱色的饱和度是最高的,没有比AAT3218IGV-2.9-T1光谱色饱和度更高的颜色。实际存在的颜色的色品点均在光谱色品轨迹所包围的范围之内。色品图还能表示两种颜色的混合,颜色(...[全文]
- 北美照明学会(IEsNA)以CIE技术文件作为参考依据2016/10/28 20:51:57 2016/10/28 20:51:57
- 美国、欧盟、日本等K4S281632K-UI/P60国家和组织都在积极制定相关标准,如:在美国能源部(DOE)和再生能源办公室(EEIu)的组织下,美国国家标准组织(ANsI)、北美照明学会(I...[全文]
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- 白炽灯与卤钨灯的基本结构2016/10/27 20:26:30 2016/10/27 20:26:30
- 为克服灯丝的热蒸发,在玻璃壳内充入少量的卤素元素,如碘、溴等。加电工作后,KX14-40K8D玻璃壳内壁淀积的钨原子与卤素元素反应成为挥发性的卤钨化合物,当其运动到灯丝附近时又被热分解成为钨和卤...[全文]
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