实用化的LED均为双异质结结构LED(Doub⒗Hctcro-structurc,简称为DH-LED)或量子阱结构LED(QuantLlm Wc11,简称为QWˉLED)°

   典型的DH乇ED器件结构如图⒋5所示,在n型衬底(基板)上外延生长n型过渡层以便减少DH层的缺陷, M4T11MH6过渡层上依次生长宽禁带的N型层(下限制层)、窄禁带的低掺杂p型层(有源区、主动区)、宽禁带的P型层(上限制层),以上三层构成NpP双异质结结构,该结构类似于“三明治”,发光的区域仅限于夹在两个宽禁带材料中央很薄的窄禁带材料中。再在P型层之上生长高掺杂的顶层(Cap laycr,称为帽层),该层的作用:为金属电极与半导体材料间提供低电阻及高可靠性的欧姆接触、控制通过有源区的电流分布。最后分别在p型顶层上部和n型衬底下部制作正负金属电极。注意:这里以大写字母代表宽禁带材料,以小写字母代表窄禁带材料。