缩小器件的尺寸,可以减小沟道长度和寄生电容,从而改善集成电路的性能和集成度。MOS集成电路的缩小尺寸,包括组成集成电路的MOS器件的缩小尺寸,H57V2562GTR-75C以及隔离和互连线的缩小尺寸3个方面。MOS集成电路器件缩小尺寸的理论就是从器件物理角度出发,研究器件尺寸缩小之后,尽可能减少这些小尺寸效应的途径和方法。

    19γ年,R.Dellnard等提出了MOS器件“按比例缩小”的理论。这个理论建立在器件中的电场强度和形状在器件尺寸缩小后保持不变的基础之上,称为恒定电场(Constant ElcctⅡcal Ficld)理论,简称CE理论。这样,许多影响器件性能并与电场变化呈非线性关系的因素,将不会改变其大小,而器件的性能却得到明显的改善。随着实践的应用需要,又提出了恒定电源电压的按比例缩小CV(Constant

№ltagc)理论和准恒定电源电压的QCV(Quasi~Coll哎ant Voltagc)理论。3种模式下等比例缩小规则对MOs特性的影响如表8.5所示。