理想发光二极管的I-V特性可由shockley方程式表示如下:

   式中,凡为反向饱和电流,与电子与空穴的扩散系数、扩散长 LM2733YMFX度和热平衡少子浓度有关;/为外加偏压,”0为正向偏压,疼0为反向偏置;炀为玻尔兹曼常数;Γ为绝对温度。图 ⒋11为理想发光二极管的I-V特性示意图。由图可见,正向偏压下,二极管的电流随电压增加按指数增加;反向偏置下,二极管的电流与反向偏置电压无关为常数。

   实际发光二极管的⒈V特性

   实际发光二极管中的注入电流不再仅仅是扩散电流,还包括隧穿等效应产生的电流,故引入一理想因子表示与理想发光二极管⒈V特性的差异。此外,实际发光二极管中还包括半导体材料及工艺过程产生的体电阻、接触电阻等,构成与理想p-n结的串联电阻效应,还有部分诸如结区晶格缺陷、表面缺陷等产生电阻等,构成理想p-n结的并联电阻效应。