随着异质结构研究的深入和外延生长技术的进步,量子阱结构被开发并应用于半导体发光器件。M25P20-VMN6TPB量子阱结构可以看作双异质结构中较窄禁带中间层材料薄化的延伸和发展。用两种禁带宽度不同的两种半导体材料A和B,构成两个距离很近的背靠背的异质结,ⅣB/A,若材料A的禁带宽度大于B,且材料A和B形成~pcI型异质结,则当材料B的厚度薄到可与电子的德布罗意波长相比,则形成以材料A为势垒,B为势阱的量子阱结构。

   这种只有一个势阱的结构称为单量子阱[1剑。

   如图3-34(a)所示阝),在实际的量子阱结构中,载流子被限制在有限深的势阱中,在垂直于界面方向上(设为z方向)运动的能量不再是连续的,而是变成了分立的能级(电子占据能级为几0和马1等,空穴占据能级为E四和凡1等),而在平行界面的方向(设为光y方向)上载流子运动是自由的,能量仍是连续变化的。势阱宽度越窄,势垒高(Mc和Azrv)越高,能级分立间距越大。另外,载流子有效质量越小,能级分立间距越大。由于电子的有效质量总比空穴小,所以量子阱中电子能级分立间距大于空穴能级分立间距。