通过以上步骤完成了PMOS的版图绘制。接下来将绘制出NMOS的版图。H11AA2绘制NMOs管的步骤与PMOs管基本相同(新建一个名为NMOs的Ccll)。不同的是NMOs是做在P型衬底上,要有一个N型注入层,这一层要覆盖整个有源区。同样,为进行源区和漏区的连接,要用金属1画两个矩形,分别覆盖源区和漏区上的接触孔,覆盖长度为0.1um。为进行衬底连接,必须在衬底的有源区中间添加接触孔,这个接触孔每边都被有源区覆盖0.2um。然后还要进行P型注入,注入区覆盖有源区0,3um,使得金属1和P型衬底形成良好的欧姆接触。画出用于电源的金属连线,布线完毕后的版图如图8.25所示。

   (a)PMOs管的版图 (b)NMOs管的版图

   图825 MOs管的实际版图

   继续进行后面的工作以完成整个非门的绘制及绘制输入、输出。新建一个Ccll。将上面完成的两个版图复制到其中,并以多晶硅为基准将两图对齐。然后,可以将任意一个版图的多晶硅延长和另外一个的多晶硅相交。