以图4-6所示的AlGaAs/GaAs系的红橙光DH-LED为例。图⒋6(a)为DH结构示意图,图(b)为未加偏压时的热平衡态下的DH能带图,此时,三种材料具有统一的费米能级助。 M51958B为其加上正向偏压后,热平衡态被打破,三种材料的准费米能级分离,Np结的电子有效势垒降低,N区的电子扩散进入至p型层,使得Np结p区内的过剩电子浓度很高。但是,此时空穴的有效势垒仍然很高,继续阻止p区的空穴扩散进入到N区,即p型层的空穴浓度几乎没有减少。扩散进入p型层的过剩电子将向P区方向继续扩散,由于p型层很薄,许多过剩电子将会扩散至pP结位置。由于pP结的电子有效势垒很高,将阻止过剩电子的继续扩散,维持了p区过剩电子的高浓度状态。p区的过剩电子与空穴发生辐射复合而发光。图⒋6(c)为正向偏压下DH能带示意图,图(d)为正向偏压下DH时发射光子的示意图。图⒋7为正向偏压下DH-LED结区过剩载流子分布示意图,与图⒋5所示的同质结LED相比,由图可知DH乇ED有源区中过剩电子与空穴浓度均很高,有利于增加内

量子效率。