GsT(Ge2Sb2Te,)是一种硫系化合物相变薄膜材料,用于 QMI509 (相变存储器)中的存储介质。PCRAM则是以硫系化合物为存储介质,利用电能(热量)使相变薄膜材料在晶态(低阻)和非晶态(高阻)之间相互转换实现信息的写入和擦除,信息的读出是通过测量电阻的变化实现的。QMI509

   GsT相变薄膜材料的图案化有刻蚀和化学机械研磨两种方式,两种方式对应有不同的制程步骤。刻蚀的方法是先用物理或化学沉积的方法沉积GST层,再经过光刻和刻蚀形成图案,该方法在尺寸较大的IC制程中(90nm以上)广泛应用。化学机械研磨的方法是近期

受到极大关注的方法,先是形成尺寸较小的钨互连,化学沉积介电层(⒊O2),通过光刻和刻蚀形成孔洞,再用物理或化学沉积的方法沉积GST层,通过化学机械研磨来去除孔洞外面的GST,从而形成GST和钨的互连。该方法有很好的自对准性,适合较小尺寸的IC制程(90nm以下)。