结果表明,PMOS晶体管的亚阈值斜率要比NMOs晶体管的大一些。这主要CAP003DG是受到弱反型层载流子的迁移率的影响。空穴的迁移率要略小于电子,这就使得增大到同样数量级的漏极电流PMOS晶体管需要更大一些的栅电压来增强反型层对载流子的输运作用。

   从亚阈值斜率定义可以看出,s表征的是栅电压对沟道电流的控制能力。温度的升高引起s的线性增加,即为了达到相同的漏极电流水平亚阈区栅压要相应地增加。这就表明了器件的亚阈性能出现了退化,使得其开关性能变差。同时,s的增大也会导致器件漏极电流增加,静态功耗变大,这对大规模集成电路有着重要影响。

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