阈值电压是MOS晶体管的重要参数之一,阈值电压 M0334RC120影响电路的输入/输出特性。按MOs晶体管的沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理,有两种类型的MOS晶体管。

   (1)耗尽型:沟道在/Gs=0时已经存在,当吒s“负”到一定程度时截止。

   (2)增强型:在正常情况下它是截止的,只有当吒s到一定程度时才会导通。在半导体理论中,P型半导体的费米能级是靠近价带的,而N型半导体的费米能级则是靠近导带的。要想把P型变为N型,外加压必须补偿这两个费米能级之差。Ec、Ex/、羁分别为导带、价带和本征费米能级,EFP和马N分别为P型和N型半导体的费米能级。

   栅极偏置电压下的NMOS晶体管如图9.5所示,源、漏和衬底接地,栅上加电压呢s。栅和衬底之间是以s⒑2为介质的栅电容,当/Gs从0向正值变化时,正电荷积聚在栅电极,在栅电极下的衬底中将积累负电荷。当/Gs足够大时,在栅电极下形成耗尽区。设耗尽区的厚度为凡,在厚度为汉d,单位面积栅下的P型半导体材料中所含的不可动电荷dg=g(习厶dYd)。