影响氧化层电荷的因素很多。栅氧化CAP003DG后的温度应低于950℃左右,因为栅氧化后工艺温度太高、时间太长会使氧化物陷阱电荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。栅氧化后退火气氛一般有两种,一种是惰性气体,常用的是N2气;另一种是所谓的形成气氛,即含有一定比例H2气的N2气的气体。实验表

明:纯N2气氛退火有较多的氧化物陷阱电荷,而形成气氛退火时的氧化物陷阱电荷较少,主要原因是H2的存在增加了电子陷阱,从而对空穴陷阱起了补偿作用。

   X射线、澍线等产生的氧化层陷阱电荷会出现饱和现象,产生明显的空间电荷效应,对产生新的电荷起抑制作用。

   辐射条件下,栅氧化层中产生的电子一空穴对近似与栅氧化层的体积成正比。 因此,对固定几何尺寸的晶体管来说,单位面积下的电子一空穴对数量与氧化层的厚度成正比。假设辐射在氧化层中均匀产生电子一空穴对,并以固定百分比被氧化物陷阱俘获形成正电荷,那么被陷阱俘获的空穴与栅氧化层厚度呈一种线性关系。沿厚度方向对空穴积分即可得到被俘获的空穴所产生的电场,该电场与氧化层厚度的刀次方成正比,刀的取值范围一般为1~3。