无论CE理论还是CV理论,都能使集成电路性能得到改善,集成度得到显著提高c但各自H5TQ4G83AFR-PBC都存在由于过低的电压量(CE理论)或过高的电场强度(CV理论)所带来的一系列性能限制。采用CE理论或CV理论缩小集成电路,器件性能并不能得到最佳化。

   事实上,按比例缩小的理论中,并不是所有的几何尺寸或其他参数的改变都能带来好处。例如,如果场氧化层厚度和互连线的厚度能保持不变,则可使互连线的电阻保持不变,而其电容却缩小'倍。相应地,互连线的时间常数以′倍减小,与电路中器件的性能改善相匹配。

衬底浓度的过分提高会使载流子的有效迁移率减小,使漏和源PN结的寄生电容增大,还会带来体效应的增大,这是应该避免的。在按比例缩小的理论中,提高衬底浓度的目的,是要使耗尽层宽度按比例缩小。但是只有耗尽层的横向宽度才是防止穿通的主要参数,而这种耗尽层的横向扩展可以通过沟道离子注入改变沟道表面浓度而得到控制,并无必要改变体衬底浓度。假定注入剂量不变,而注入深度按比例缩小,贝刂表面浓度按比例增大,衬底的掺杂浓度就可以不变。