si/s⒑2界面处的界面态。界面态是CAP002DG指存在于si/so2界面处而能级位于硅禁带中的一些分立的或连续的电子能态(能级)。界面态一般分为施主和受主两种。可以是带电的,也可以是中性的,依赖于它与费米能级的相对位置。一般由工艺过程引起的本征界面态,其密度在1010~1012c盯2范围内。另外,辐射和热载流子注入也可改变界面态的密度。

   s⒑2中的陷阱电荷。当X射线、谢线、电子等能产生电离的射线通过氧化层时,可在so2中产生电子一空穴对。如果氧化物中没有电场,电子和空穴将复合,不会产生净电荷。但如果氧化层中存在电场,将会有部分电子和空穴剩余被陷阱捕获而产生辐射感生陷阱电荷。

   影响氧化层电荷的因素很多。栅氧化后的温度应低于950℃左右,因为栅氧化后工艺温度太高、时间太长会使氧化物陷阱电荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。栅氧化后退火气氛一般有两种,一种是惰性气体,常用的是N2气;另一种是所谓的形成气氛,即含有一定比例H2气的N2气的气体。实验表明:纯N2气氛退火有较多的氧化物陷阱电荷,而形成气氛退火时的氧化物陷阱电荷较少,主要原因是H2的存在增加了电子陷阱,从而对空穴陷阱起了补偿作用。X射线、澍线等产生的氧化层陷阱电荷会出现饱和现象,产生明显的空间电荷效应,对产生新的电荷起抑制作用。