光刻中,分辨率被定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形对的能力。分HAT2016R辨率对于任何光学系统都是一个重要的参数。影响分辨率的3个参数分别是波长、数值孔径NA、工艺因子肟。其中,数值孔径是指透镜收集衍射光的能力。分辨率表达式如下:

   影响分辨率的因素:光刻掩膜版与光刻胶的接触、曝光光线的平行度、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度、小图形引起的衍射、光刻胶膜厚度和质量的影响、曝光时间的影响、衬底反射影响、显影和刻蚀的影响。

   焦深

   焦点周围有个范围,在这个范围内图像连续地保持清晰,这个范围被称为焦深或DOF(Dcpth ofFoctls)。光刻工艺中,焦深应穿越光刻胶层上下表面,其表达式如下:

   D°F=×NA`

   焦深方程式的含义:如果分辨率提高了,焦深就会减小。然而焦深的减小严重缩减了光学系统的工艺宽容度。