不同厂家相同工艺的失效机理的可靠性。对A公司和B公司的0.18umCMOs工艺HCI效应寿命进行了测量, BP3319MB流片情况同上,栅氧厚度均是3.2nm,器件的宽长比均是50△,测量结果如表7,10所示。从表7.10可以看出,B公司HCI效应的寿命大于A公司的HCI效应的寿命,而且以正向饱和电流退化10%为失效判据,室温环境条件下HCI效应的寿命大于0.2年,这表明B公司的质量管理体系更容易满足用户的使用要求。

   影响集成电路Foundry线流片质量和可靠性的技术要素分别是温度特性、EsD、Latch-up、HCI、TDDB、EM、欧姆接触退化等失效机理,而管理要素分别是生产工艺的SPC控制、工艺监测图形、内部目检、扫描电镜检查及能谱分析、净化间的温湿度控制、人员引起的污染预防、设备校准与维护等。

   通过A公司和B公司的0,18um CMOs工艺HCI效应的可靠性试验,检查评定了不同Foundry线的质量体系,结果表明检查的两家Foundry线的质量体系的运作还算稳定,但不同厂家的质量管理体系仍有一定的差距。对于设计单位来说,选择可靠性高的工艺线进行投片生产,其产品的可靠性将会有更好的保障。