FOundγ线质量管理体系的评价
发布时间:2016/6/27 22:32:11 访问次数:501
通过设计可靠性测试芯片,采用MPW投片方式,分别对A公司和B公司的0.18um cMOs工艺线的HCI效应的可靠性进行了评估。失效判据分别是跨导、BP3319M饱和漏极电流的退化和阈值电压的漂移。通过模型参数的提取,计算出了累计失效率为0。l%时的寿命。
相同厂家相同工艺不同批次的失效机理的可靠性。对A公司两个批次的0.18um cMOs工艺HCI效应寿命进行了测量,栅氧厚度均是3.2nm,器件的宽长比均是50△,测量结果如表7.9所示。两次的测量结果表明,HCI效应的寿命并无明变化,工艺控制比较稳定,但测量结果达不到室温环境条件下寿命大于0.2年的要求。
通过设计可靠性测试芯片,采用MPW投片方式,分别对A公司和B公司的0.18um cMOs工艺线的HCI效应的可靠性进行了评估。失效判据分别是跨导、BP3319M饱和漏极电流的退化和阈值电压的漂移。通过模型参数的提取,计算出了累计失效率为0。l%时的寿命。
相同厂家相同工艺不同批次的失效机理的可靠性。对A公司两个批次的0.18um cMOs工艺HCI效应寿命进行了测量,栅氧厚度均是3.2nm,器件的宽长比均是50△,测量结果如表7.9所示。两次的测量结果表明,HCI效应的寿命并无明变化,工艺控制比较稳定,但测量结果达不到室温环境条件下寿命大于0.2年的要求。
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