研究表明,中等栅压应力下,氧化层陷阱电荷和界面态的产生是导致NMOs器件性能退化的主导因素。HB04U15S12QC当器件尺寸进入深亚微米节点之后,界面态的产生对NMOs器件性能退化的影响更为显著。文献基于电荷泵技术对0.18um NMOSFETs进行热载流子效应研究,结果表明在最大衬底电流应力条件下并没有发现氧化层陷阱电荷产生。这说明对于深亚微米NMOs器件来说,界面态的产生是导致NMOS 器件退化的主要因素。

   以NMOSFET为例,沟道处于强反型状态时,si/s⒑2界面处的界面陷阱很容易俘获电子,带上负电,将导致阈值电压、跨导、饱和漏电流等参数退化。界面态能级分布于禁带中,假如它们是受主型的,那单位区间内的净电荷是负的。研究表明,界面陷阱形成的原因是半导体表面存在悬挂键。

   对于NMOsFET来说,受主型界面陷阱的产生是引起器件退化的主要原因,界面陷阱主要位于漏端附近很窄的范围内,将导致局部沟道载流子的密度和迁移率退化。