互连测试结构主要用来检测电迁移可靠性,特别设计的互连测试结构用来监测通孔和有源区连接孔的可靠性:热载流子器件测试结构测量热载流子注入MOs管和双极晶体管的绝缘层中时的效果,这种注入会使阈值电压、IXFM35N30漏电流和增益产生退化;氧化层完整性测试结构测量由细小漏电流和氧化缺陷引起的绝缘氧化层的击 穿,这种击穿会损坏氧化层的绝缘性能。

   除了上述几种常用的测试结构以外,还有其他几种较为实用的圆片级可靠性测试结构。用于评价溅射工艺对可靠性影响的溅射损伤测试结构,溅射时圆片的表面会充电,通过互连的路径会传送到栅氧化层上,产生可靠性问题;检测离子沾污的可动离子测试结构,当存在离子沾污时会导致晶体管阈值电压的下降;表征工艺参数如氧化层厚度、平带电压、阈值电压、衬底掺杂浓度和界面态密度的电容电压(C―V)结构,测量恒定电压或恒定电流应力前后影响器件性能的陷阱电荷和界面态密度的变化量。

   圆片级测试中,不同的失效机理需要设计不同的测试结构,施加的加速应力的方式也不一样,监测的物理量也不同,如表7,2所示。