介质膜
发布时间:2016/6/20 21:30:11 访问次数:1009
介质膜。互连线HBD040YED-A上覆盖介质膜(钝化层)后,不仅可防止铝条的意外划伤、腐蚀及离子沾污,也可提高其抗电迁移及电浪涌能力。介质膜能提高抗电迁移的能力,是因表面覆有时降低了金属离子从体内向表面运动的概率,抑制了表面扩散,也降低了晶体内部肖特基空位浓度。另外,表面的介质膜可作为热沉使金属条自生的焦耳热能从布线的双面导出,降低金属条的温升及温度梯度。
合金效应。铝中掺杂如Cu、si等少量杂质时,硅在铝中溶解度降低,大部分硅原子在晶粒边界处沉积,并且硅原子半径比铝原子大,降低了铝原子沿晶界的扩散作用,能提高铝的抗电迁移能力。当布线进入亚微米量级,线条很细,杂质在晶界处集积使电阻率提高,产生电流拥挤效应。
脉冲电流。电迁移讨论中多针对电流是稳定直流的情况,实际电路中的电流可为交流或脉冲工作,此时其r血TTF的预计可根据电流密度的平均值J及电流密度绝对值|J|来计算。
介质膜。互连线HBD040YED-A上覆盖介质膜(钝化层)后,不仅可防止铝条的意外划伤、腐蚀及离子沾污,也可提高其抗电迁移及电浪涌能力。介质膜能提高抗电迁移的能力,是因表面覆有时降低了金属离子从体内向表面运动的概率,抑制了表面扩散,也降低了晶体内部肖特基空位浓度。另外,表面的介质膜可作为热沉使金属条自生的焦耳热能从布线的双面导出,降低金属条的温升及温度梯度。
合金效应。铝中掺杂如Cu、si等少量杂质时,硅在铝中溶解度降低,大部分硅原子在晶粒边界处沉积,并且硅原子半径比铝原子大,降低了铝原子沿晶界的扩散作用,能提高铝的抗电迁移能力。当布线进入亚微米量级,线条很细,杂质在晶界处集积使电阻率提高,产生电流拥挤效应。
脉冲电流。电迁移讨论中多针对电流是稳定直流的情况,实际电路中的电流可为交流或脉冲工作,此时其r血TTF的预计可根据电流密度的平均值J及电流密度绝对值|J|来计算。
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