MOS管的所有4个引线端都必须连接,不能浮地。为了减少在漏极应力电压和器件之间的寄生电压降落,从测量点到器件的源、栅、漏和衬底之间的电阻必须最小化。DAC08CP电容测试结构包括不同尺寸的大面积电容,测量氧化层的可靠性、击穿电荷等;具有不同长度的条形电容,考察栅边缺陷率和场边缺陷率;具有不同面积和条形的天线结构,用以考察连接到氧化层电荷的电荷收集。

   当用多晶作栅电极时,由于存在接触电势差和可能在栅电极内形成耗尽层,在测试时实际作用在氧化层的电压可能不同于施加在栅电极上的电压,实际的击穿电压可能与测出的击穿电压不一致。在多晶一氧化层边界的高掺杂可以抑制耗尽效应,特别是对薄栅介质层。