击穿的数学模型。 HB273据氧化层的击穿是由于空穴被陷入并积聚在氧化层内的局部陷阱处造成的,陷入的空穴流可表示,灭凡x)是FN电流密度,正比于σ:/几x;α是电离碰撞空穴产生系数,与氧化层中的电场有关,正比于f〃/几x;B为与电子有效质量和阴极界面势垒有的常数实际氧化层中可能存在局部减薄区(如盲孔),局部电荷的积累,存在杂质或沾污,使局部电场增强或界面处势垒减弱,这都使FN电流增加,栅氧提前击穿。如果不考虑其击穿的物理机理,仅从击穿的后果来考虑,引入等效氧化层减薄这一概念,上述栅氧的各种缺陷用一等效减薄量来表示.

    栅氧名义厚度;A/Y。x是由于存在缺陷而使栅氧减薄的量;凡f

是等效栅氧厚度;%x是栅介质上的电压;t°为一常数。这样栅氧击穿的统计分布就可并入AX。x的统计分布中,而局部减薄处的面积并不重要。当某个局部发生短路,整个栅氧就发生失效。