数模混合Bi-CMOS与数字Bi-CMOs工艺之间的基本区别在于,数模混合Bi-CMOs通常工作在一个较宽的工作电压(高于10V)范围。由于这些高电压超出了一些由5V兼容Bi-CMOs工艺中所集成的器件的最高电压,ESD11B5.0ST5G因此必须更改器件结构和工艺步骤以适合数模应用。数模Bi￡MOs工艺根据其应用可再分为:(1)中压(10~30V)工艺,基于CMOS工艺流程;(2)大功率(大于30V且大于lA)工艺,基于功率模拟工艺流程。

   中压数模混合工艺需要对CMOs和双极器件的性能进行优化设计,以满足高电压的要求。因此必须对CMOS的速度和性能进行折中,以满足在高电压下可靠地工作(例如,栅氧需要加厚以便能满足更高栅压的要求,但饱和电流将会模拟功能也需要无源器件,这些无源器件必须具有较小的温度和电压系数。多晶硅电阻因具有比扩散电阻更小的温度系数而在需要精确电阻的场合得到大量使用。