COMS与CCD图像传感器相比，具有功FW82801CA耗低、摄像系统尺寸小，可将图像处理电路与MOS图像传感器集成在一个芯片上等优点，但其图像质量（特别是低亮度环境下）和系统灵活性与CCD相比相对较低。由于具有上述特点，它适合于大规模批量生产，适用于要求小尺寸、低价格、摄像质量无过高要求的应用．如微型相机、手机、计算机网络视频会议系统、无线手持式视频会议系统、条形码扫描器、传真机、玩具、生物显微计数等大量商用 领域。CCD与COMS图像传感器相比，具有较好的图像质量和灵活性，仍然保持高端的摄像技术应用，如天文观测、卫星成像、高分辨数字照片、广播电视、高性能工业摄像、部分科学与医用摄像等应用。CCD器件的灵活性与采用COMS相比，用户可构建更多不同的摄像系统。CMOS与CCD图像传感器的光电转换原理相同，均在硅集成电路工艺线上制作，工艺线的设备亦相同。但不同的制作工艺和不同的器件结构使二者在器件的能力与性能上具有相当大的差别。

   灵敏度代表传感器的光敏单元收集光子产生电荷信号的能力。CCD灵敏度较CMOS高30%~50u/o。这主要是因为CCD像元耗尽区深度可达lOmm，具有可见光及近红外光谱段的完全收集能力。CMOS由于采用0.18mm~0.5mm标准CMOS工艺，采用的电阻率硅片需保持低工作电压，像元耗尽区深度只有Imm一2mm，其吸收截止波长小于650mm，导致像元对红光及近红外光吸收困难。