采用互补金属一氧化物一半导体结构的COMS固体摄像器件是早期开发的一类光电成像器件。FW82801AA基于COMS工艺的COMS图像传感器较CCD具有可在芯片上进行系统集成、随机读取和低功耗、低成本等潜在的优势。最早出现的COMS摄像器件是无源像素PPS( Passive Pixel Sensors)，但受到低灵敏度、高噪声等困扰。随着COMS技术和制造工艺技术的进展，通过改进结构，采用PG( Photo Gate)、PD( Photo  Diode)像素结构和相关双采样CDS( Correlated Double Sampling)、双A采样DDS( Double Delta Sampling)技术，特别是采用固定图像噪声消除电路等，使得CMOS传感器在低端成像系统中得到了广泛应用，事实上目前它已成为CCD成像器件的一个有力的竞争者。

   CMOS图像传感器至今已发展了两代：第一代为CMOS无源像素传感器(CMOS -PPS)；第二代为CMOS有漯像素传感器(CMOS - APS)。其中CMOS - APS发展最快，已由最初的几万像元、几十万像元发展至今的百万像元( 1280×1024；2048×2048)乃至上千万像元(4096 x4096)的CMOS图像传感器。现在CMOS技术在两个前沿获得突破：用于计算机和手提电话的低档产品和超高速、大规模的高档产品。从根本上说，考虑到视频速率下的读出噪声和灵敏度问题，CMOS图像传感器比CCD技术更有优势，有着更低的

瞬态噪声，而且这个优势随着像素数目的增大而更加明显。最设计的高速CMOS - APS能实现2368×1728分辨率下的240帧／s的帧速和1280 x1024下的600帧／s的帧速。

   CMOS成功的关键是低能源消耗、片内集成以及较CCD更低的成本，用CMOS图像传感器开发的数码相机、微型和超微型摄像机已大批量进入市场。