电子一电压转换率表示每个信号电子转换为电压信号的大小。由于CMOS在像元中采用高增益低功耗互补放大器结构，FW82801DBL其电压转换率略优于CCD。CCD要得到同样的电压转换率需要进一步付出增大器件功耗的代价。CCD研制者正进一步研究新的读出放大器结构以提高响应率。

   动态范围表示器件的饱和信号电压与最低信号阈值电压的比值。在可比较的环境下，CCD动态范围约较CMOS的高两倍。主要由于CCD芯片物理结构决定通过电荷耦合，电荷转移到埋沟的输出端几乎没有噪声，使得CCD器件噪声可控制在极低的水平。CMOS的低噪声特性是由其物理结构决定的。

   响应均匀性由光照和无光照两种，CMOS图像传感器的响应均匀性较CCD有较大的差距。研制者研究采用反馈放大器等技术改进有光照条件下的均匀性，使之逐渐接近CCD的均匀水平。

   标准CMOS具有较高的暗电流（1nA／CI112，最低lOOpA／crri2），而精心制作的CCD的暗电流密度为2pA／cm2～lOpA／cm2。