快门代表了任意控制曝光开始和停止的能力。CCD是内线转移结构，具有优良的电子快门，FW82801DBM由于器件可纵向从衬底排除多余电荷，电子快门功能几乎不受像元尺寸缩小的限制，不会挤占先敏区面积而降低器件占空比。CMOS在每格像元中需要一定数量的晶体管来实现电子快门功能，增加电子快门功能将增加像元的晶体管数量，压缩感光区的面积，降低器件的占空比，特别在像元尺寸进一步缩小时矛盾更为突出。CMOS采用不同时间对不同行

进行曝光的滚动快门方式解决此问题。这种方式减少了像元中的晶体管数，提高了占空比，但在高性能应用中运动目标会出现明显的图像变形，因此只适合某些商业应用。

   由于大部分相机电路可与CMOS在同一芯片上制作，信号及驱动传输距离缩短，电感、电容及寄生延迟降低，信号读出采用X-Y寻址方式，CMOS图像传感器工作速度优于CCD。CCD信号读出速率通常不超过70Mpixels/s，CMOS可达lOOOMpixels/s。

   CMOS由于信号读出采用X-Y寻址方式，具有读出任意局部画面的能力，这使它可以提高感兴趣的小区域的帧频或者行频，这种功能可用于在画面局部区域进行高速瞬时精确目标跟踪。CCD由于其顺序读出信号结构决定它在画面开窗口的能力受到限制。

   到目前为止，在开发CMOS图像传感器中所采用的先进的关键技术可归纳如下：①相关双取样( CDS)电路技术；②微透镜阵列制备技术；③彩色滤渡器阵列技术；④数字信号处理( DSP)技术；⑤抑制噪声电路技术；⑥模拟／数字转换(A/D)技术；⑦亚微米光刻技术。