- 输出电压：输入电压特性——线性调整2012/5/30 19:32:05 2012/5/30 19:32:05
- 使用电池的便携式电74HC04AP器中采用开关电源时，即使电池消耗使得输入电压降低也必须保证输出电压为一定值。因此，输入电压变化时输出电压有多大的变化是这种电源一个重要的特性，图11.14是输入电...[全文]
- 升压型开关电源的结构2012/5/29 19:33:15 2012/5/29 19:33:15
- 升压型开关电源A44E也叫做Step-upDC-DCConversion。所谓“step-up”即升压的意思，所谓“DC-DCconversion”就是将直流输入电压(DC)变为直流输出电压(...[全文]
- 给MOSFET输入正弦波2012/5/28 19:21:24 2012/5/28 19:21:24
- 图9.5是采用功率开关LPC2136FBD64用器件-N沟MOSFET2SK612(NEC)的源极接地型开关电路。这个电路只是改换了图9.1中的FET(漏极负载电阻的值不同)。照片9.5是给这个...[全文]
- LED驱动一侧逻辑反转的电路2012/5/27 19:54:16 2012/5/27 19:54:16
- LED的正向电压EPCS4SI8N降VF是1.5V（根据数据表），所以RL一220CI(约为(5V-1.5V)／15mA)(假定CMOS倒相器的输出电压是OV)。由于流过LED的电流大(15mA)，...[全文]
- LED显示器动态驱动电路（射极跟随器）2012/5/27 19:47:16 2012/5/27 19:47:16
- 图8.26与图8.23相同也EP1C6Q240C8N是7段LED的动态驱动电路。数字一侧的驱动电路是达林顿连接的发射极接地型开关。段驱动电路采用NPN晶体管射极跟随器型开关。这个电路与前面的图8....[全文]
- 输入级采用晶体管的电流反馈型放大器2012/5/26 14:35:22 2012/5/26 14:35:22
- 图7.7所示的电路中，为了简化电路结构，输入部分的TMS320DM6437ZWT6缓冲放大器使用了JFET的推挽源极跟随器。但是，JFET的源极跟随器的输出阻抗不怎么低。因此，它的工作距理想的电流反...[全文]
- 电源电压和晶体管的选定2012/5/25 20:20:22 2012/5/25 20:20:22
- 视频信号以75Q为终端MSP430F1611IPMR负载。但是振幅约1VP-P，所以即使考虑到晶体管的损耗，电源电压有5V也就足够了。不过还应该考虑到OP放大器用屯源，所以取为±15V。视频放大器...[全文]
- 采用基极接地的栅一阴放大连接自举电路2012/5/25 19:29:46 2012/5/25 19:29:46
- 就是说，这个电路通过MSP430F2011IPWR自身的输出（Tri的源极），总能够保持自身工作点一定，从而提高电路的特性。如果能够保持源极接地的FET漏极一源极间电压为一定值，使电路的工作点固定，...[全文]
- 偏置电路的设计2012/5/24 20:01:43 2012/5/24 20:01:43
- 从图3.6得到当ID=lmA时2SK184GR的VGS在-0.4～-0.1V的范围内。进行设计时取B0505S-W2分散量的中间值，即VGS一-0.25V。由于源极直流电位Vs取2V，所以栅极的直...[全文]
- 源极波形与漏极波形同相2012/5/24 19:52:54 2012/5/24 19:52:54
- 照片6.5是口。和漏极电位Vd的波形。这张照片中B0505S-0.25W需要注意的是它与源极接地放大电路不同，勘。与Vd是同相的（参照照片2.6中VS与Vd的波形）。栅极接地电路中，vs的直流电位比...[全文]
- 实验电路的结构2012/5/24 19:45:07 2012/5/24 19:45:07
- 按照前面所介绍的方法，信号输LM3S9B95-IQC80-C5入到FET的源极，漏极作为输出，将栅极接地作为信号的基准电平（栅极接地具有非常重要的意义）。我们把这种电路称为栅极接地放大电路(Comm...[全文]
- 选择源极跟随器用的FET2012/5/23 19:58:17 2012/5/23 19:58:17
- 先讨论输出级使用的MOSFET的选择条件。整流电路的输出就是源极跟随器部分LM3S2965-IQC50-A2的电源电压，即±19.5VPEAK。当输出电压达到正负峰值时，Trz、Tr3的漏极一源极...[全文]
- 放大器的设计指标2012/5/23 19:42:42 2012/5/23 19:42:42
- 顺便指出，这个设计指标与图5.1使用双LM3S1958-IQC50-A2极晶体管的10W输出低频功率放大器的内容几乎完全相同（参看本系列《晶体管电路的设计（上）》一书）。后面将对双极晶体管电路与MO...[全文]
- FET低频功率放大器的设计与制作2012/5/23 19:27:51 2012/5/23 19:27:51
- 通过第4章源极跟随器电路MSP43OF2350IRHAR的实验，我们知道将FET应用于输出电路也是有效的。而且目前功率用的MOSFET-功率MOSFET的应用也在不断扩展。由于功率MOSFET适合...[全文]
- 0P放大器十源极跟随器2012/5/23 19:25:00 2012/5/23 19:25:00
- 功率放大用或者开MSP430F2272IDAR关用的MOSFET(所谓的功率MOSFET)能够处理大的漏极电流，所以可以用这些器件制作大电流电路。图4.24是将OP放大器和MOSFET推挽源极跟随...[全文]
- 确定源极电阻Rs的方法2012/5/22 19:15:35 2012/5/22 19:15:35
- 由图4.4可以看出，当取源MSP430F427IPMR极电流Is（等于漏极电流ID）为2mA时2SK184GR的VGS为-0.3～-0.05V。所以VGS的值取这个范围的中间值，VGS=-0.15V...[全文]
- 总谐波失真2012/5/21 20:09:50 2012/5/21 20:09:50
- 图3.30是总谐波CC2530F256RHAR失真(THD：TotalHarmonicsDistortion)对于输出电压的曲线。THD表征输入的正弦波的高次谐波产生多大输出的特性（电路中的非线...[全文]
- 电压增益与频率特性的关系2012/5/21 19:58:59 2012/5/21 19:58:59
- 图3.24是用图3.23(a)的方法改变图3.1电路的大倍HCPL-181-00BE数时电压增益的频率特性。图中的A，是由式(3.11)求得的计算值(AV=RC/(RD∥R》。可以看出，当降低源极交...[全文]
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