就是说，这个电路通过MSP430F2011IPWR自身的输出（Tri的源极），总能够保持自身工作点一定，从而提高电路的特性。
    如果能够保持源极接地的FET漏极一源极间电压为一定值，使电路的工作点固定，那么当输入信号变大时的频率特性和输入输出间的线性关系也能够得到改善，使得一直到高频范围都能够保持电路的工作稳定。所以，栅一阴放大连接自举
电路经常应用在高频放大电路或者OP放大器的内部。
    与栅一阴放大连接电路相比，由于少了栅极接地FET的栅极偏置电路，所以电路的设计简单了（只是把Tr2的栅极连接在Tri的源极上）。所使用的FET选择IDSS高于设定的漏极电流的器件（Tri、Tr2都是这样）。申Tri、Tr2使用相同的FET，只要满足IDSS的条件，改变这两个FET的型号也完全没有问题。
    如图6.17所示，使用晶体管的基极接地也能够将源极接地栅一阴放大连接自举化。但是，由于晶体管VBE的极性与JFET的VGS极性相反（如果把图6.17中Tr2的基极直接与Tri的源极连接，将不会产生Tri漏极一源极间的电压），还必须保证有基极电流流动等原因，所以电路稍微复杂些。

              
    在栅极接地一侧也可以使用MOSFET实现栅一阴放大连接自举化。不过必须注意VGS的极性也可能与JFET相反（必须慎重选择工作点，或者作成如图6.17那样的电路）。