图12.25是将N沟JFET用在TPS51200DRCR输入部分的差动放大电路上的OP放大器电路。
    由于FET的流入栅极的电流是非常小的，所以用在OP放大器的输入电路中，则能够提高OP放大器本身的输入阻抗。这种OP放大器可以用在取样保持电路和将输入阻抗非常高的传感器信号进行放大的电路上。
    图12.25电路仪仅是将图12.9所示的电路的Tri与Tr2用N沟JFET代替后的电路。然而，JFET与晶体管相比较，则器件本的增益低，所以相位补偿电路的常数稍有不同(在图12.25中，R4 =470fl)。
    要注意选择JFET漏饱和电流的档次。JFET的IDSS是漏源之间流动的最大电流（不破坏器件的限界，在JFET中不能流过IDSS以上的电流），所以必须选择比差动放大电路各自电流的设定值要大的IDSS的器件（或者必须将差动放大电路中流动的电流设定在比所选择器件的IDSS要小的值）。

                
    在图12.25中，由于差动放大电路各自的电流设定在ImA，所以Tri与Tr2的IDSS必须在ImA以上。在这里，选择通用N沟JFET 2SK330（东芝）（关于2SK330的特性请参考第10章的表10.1）。
    由于2SK330的IDSS最低是1.2mA，所以在该电路中，无论使用哪个档次都没有关系。但是，Tr，与Tr2必须作为差动放大的对管进行工作。为了器件特性尽可能的一致，要使用同一档次IDSS的器件。
    还有，JFET的栅一源间电压V(。s(相当于双极晶体管的VBE)随IDS。有相当大的分散性。这里使用的2SK330，IDSS有1.2m～14mA的分散性，因此VG。的1～3V。
    这样，FET是器件之间分散性大的器件，所以，如果连IDSS的档次都不一致，则差动放大电路肯定不工作。
    进而，将JFET使用在OP放大器电路的初级上，则由于器件之间的分散性所产生的影响也变大，故而有输入补偿电压变大的缺点。
    在该电路中，想将输入补偿电压变小时，在Tr1、Tr2上使用单片式双管FET[例如2SK389（东芝）]就可以。单片式双管FET，由于是在一个半导体衬底上紧挨着形成FET，所以器件之间的各种特性差别是非常之小的。