图7.7所示的电路中，为了简化电路结构，输入部分的TMS320DM6437ZWT6缓冲放大器使用了JFET的推挽源极跟随器。但是，JFET的源极跟随器的输出阻抗不怎么低。因此，它的工作距理想的电流反馈有一定的偏离（因为电流反馈型放大器反转输入端的输入阻抗可以认为是零）。
    另外源极跟随器本身的输出电流也被FET的IDSS限制。而且由于N沟JFET和P沟JFET VGS存在的分散性，导致发生比较大的输出偏移电压（在本章的实验中，如照片7.7所示，也发生了140mV的输出偏移电压）。
    图7.14是将JFET推挽源极跟随器置换为2级直接耦合推挽射极跟随器的电路。这个电路反转输入端的输入阻抗非常低，所以能够在接近理想的状态下进行电流反馈。另外由于晶体管的VBE没有JFET的VGS那样大的分散性，所以电路的输出偏移电压也比使用源极跟随器时小得多。
    设计推挽射极跟随器时，流过Tri和Tr2的发射极电流仅由发射极电阻（图7.14中为7.5kQ）决定。Tri和Trz的基极偏置电压都为零，所以加在发射极电阻上的电压是从咆源电压各自减去0. 6V的值(图7.14中是14.  4V=15V-0.6V)。这个电压除以设定该电压所希望的发射极电流，就可以求得发射极电阻值。

    如果Tri和Tr4以及Tr2和Tr3分别采用互补对，那么流过Tr3，Tr4的发射极电流等于流过Tri，Trz的发射极电流。这是因为Tr3与Tr4的发射极相互连接，所以Tri和Tr3以及Trz和Tr4的VBE的绝对值相等（VBE1一VBE3，VBE2一VBE4）的缘故（如果晶体管的特性相同的话，V BE的值相同时流过的发射极电流也相同）。图7.14中，Tr3和Tr4的发射极电流与流过Tri和Trz的发射极电流相同，都是2mA。所以Tri和Tr4以及Tr2和Tr3有必要采用互补对。这里使用的是通用晶体管2SA1048/ 2SC2458互补对。在输入端与Tri、Tr2的基极间串联100Q的电阻目的是为了防止射极跟随器产生振荡。跨阻抗级以下电路的设计方法与图7.7所示的电路完全相同。