- 气体纯度控制要求2012/4/28 19:39:49 2012/4/28 19:39:49
- 生产中常用的气体有氮、氢、氧和氩，不纯的气48CTQ060体会使器件产生缺陷或造成沾污，形成失效隐患。主要控制指标有纯度、含水量、含尘量，其具体指标要依据不同器件的工艺要求而定。含水量常用分子筛吸收...[全文]
- 去离子水的控制要求2012/4/28 19:34:58 2012/4/28 19:34:58
- 大部分电子元器件的多数工序都要SG6742MRSY用去离子水进行清洗，所以去离子水是控制器件沾污的重要因素。对去离子主要控制参数是电阻率、微粒含量、残存有机物含量和细菌含量。电阻率是去离子水中导电离...[全文]
- 金属化条平均失效时间2012/4/27 19:29:23 2012/4/27 19:29:23
- 金属化条平均失效时间(MTF)可通STA408A过解Black电迁移方程得到：MTF=(AlCJ2)／exp(Q/KT)式中，A为金属化条截面积；C为相关因子，与金属条密度、电阻率、晶...[全文]
- 氯化氢及二氯乙烯(Cz HCI3)氯化2012/4/27 19:18:24 2012/4/27 19:18:24
- 干氧中加入少量HC1，HC1与Oz克分子比(6～8)%为佳，因为：①高温下Clz与Na+反应可LMC555CM生成挥发性化合物随尾氧排出。②在Si-Si02界面处，Cl易集中，Cl与S102中固...[全文]
- 异质结场效应晶体管(HEMT、HFET或MODFET)2012/4/26 19:36:37 2012/4/26 19:36:37
- HEMT是采用GaAs／n-AIGaAs，用选择（调制）掺杂MUR860G的异质结构FET，它以GaAs为电子输运区，以n-GaAs为电子供给区。在HEMT中，用一层宽带隙半导体材料将栅与沟道隔开，...[全文]
- 种类和特点2012/4/25 19:50:15 2012/4/25 19:50:15
- 半导体分立器件的种类很多，分类方法各异。按照我国CY8C20324-12LQXI国家标准，半导体分立器件的分类主要是按结构类型来进行的。①按结构类型来分：主要有半导体二极管（包括：检波管、整流管、...[全文]
- 概述2012/4/25 19:14:51 2012/4/25 19:14:51
- 热疲劳失效的一个典型例子是倒装焊器CY62256NLL-55ZXIT件与PCB板焊接互连模型。一个倒装焊器件通过铅一锡焊球与PCB板焊接互连。当温度由环境温度升高到一个较高温度时，由于PCB板和器件...[全文]
- 晶闸管效应2012/4/23 19:33:25 2012/4/23 19:33:25
- 晶闸管效应又称闭锁或BCM5338MKQMG锁定效应，这种效应是CMOS电路中固有的。因为CMOS电路结构中存在着固有的寄生双极型NPN和PNP晶体管，这些晶体管会被许多方式所激活，形成晶闸管，产生...[全文]
- 模拟管脚的ESD保护设计2012/4/22 16:57:34 2012/4/22 16:57:34
- 用于模拟PAD管脚的ESD保护UC3843电路如图2.37所示，采用0.35ptm硅化物CMOS单元库的实际版图结构。器件漏区的寄生结电容。为了减少模拟管脚的输入电容，都设计得非常小，其宽长比仅为...[全文]
- 电源钳位2012/4/22 16:46:48 2012/4/22 16:46:48
- 通常采用电源线钳位结构来保护19N10L集成电路免受ESD应力的冲击。对于电源钳位来讲，多指型gcNMOS和SCR是较好的结构。电源钳位通常放置在芯片的四个脚，连接到VDD和GND之间。如果存在多...[全文]
- 原材料控制2012/4/20 19:51:40 2012/4/20 19:51:40
- 原材料除了对电子元器件性能BK2401指标产生影响之外，对可靠性也将产生很大影响。在设计和制造技术相同的情况下，原材料参数指标不同，可以产生不同的失效模式，因此控制原材料质量是电子元器件可靠性设计控...[全文]
- 基本概念2012/4/20 19:04:20 2012/4/20 19:04:20
- 产品的功能（质量特性值）y不仅与目MMA8452标值m之间可能会存在差异，而且由于来自使用环境、时间因素以及生产条件等多方面的干扰而使功能产生波动，从而遣成损失。例如，电子元器件的性能会随着使用时间...[全文]
- 排列图分析2012/4/19 19:41:27 2012/4/19 19:41:27
- 排列图又叫帕雷多图(Paretodiagram)。排列图建RFL6000立在帕雷多的“关键的少数和次要的多数”的原理基础上，它是将质量改进项目从最重要到次要，或将电子元器件的失效模式从主要到次要进行...[全文]
- 工艺的优化设计2012/4/18 19:37:54 2012/4/18 19:37:54
- 确定对工艺参数的控制要SGM2001-1.8XN5求以后，下一步工作就是针对具体的工艺设备，采用正交试验和实验设计方法优化确定应采用的工艺条件。“优化”的核心是要保证所确定的工艺条件标称值，可以使工...[全文]
- 失效率2012/4/18 19:18:04 2012/4/18 19:18:04
- 失效率(A)是描述电子元器件EP3C80F780I7N在规定条件下和规定时间内发生失效的概率，是表征电子元器件可靠性水平的一种量化特征量。若有10000个电阻器，经过10000h有1个失效，则它...[全文]
- 环境因素2012/4/17 19:44:31 2012/4/17 19:44:31
- 电子设备中的电子元器件在恶劣HY5RS123235BFP-1环境条件下使用，会发生腐蚀和其他环境效应，从而降低电子设备的使用可靠性。特别是随着电子设备中电子元器件所占比重的增加和电子设备向微电子化、...[全文]
- 影响电子元器件可靠性的因素分析2012/4/17 19:33:37 2012/4/17 19:33:37
- 最初期的可靠性，人们主要研究环境对NCP5388MNR2G产品的影响，但随着可靠性技术的发展，可靠性已作为一项系统工程，贯穿于产品的全寿命周期，这就是通常所说的可靠性工程。可靠性工程涉及的范畴和内容...[全文]
- 快速电池充电器2012/4/16 20:39:30 2012/4/16 20:39:30
- 本节介绍一款可同时完成二节5号或7号可SII3132CNU充电电池进行充电的小型快速充电器，配有充电指示灯对充电状态进行指示，当电池电量不足时，指示灯较亮，随着电量的不断补充，指示灯的亮度不断下降，...[全文]
热门点击
- 直流电压电阻降压电路
- TOA和TDOA定位方法
- 定向扩散路由协议
- 异质结场效应晶体管(HEMT、HFET或
- 放大器中电压、电流符号及正方向的规定
- 失效率
- LC并联谐振选频放大器电路
- 双金属片温度继电器的结构及工作原理
- 电感器直标法和电感器色标法
- DMAC协议
IC型号推荐
- UPD75312GF257389
- UPD75312GF-262-3B9
- UPD75312GF-293-3B9
- UPD75312GF-520-3B9
- UPD75312GP-018-3B9
- UPD75312ZF-095-3B9
- UPD7531613GK-716-BE9
- UPD75316ACW-C71
- UPD75316B-E15
- UPD75316B-E25
- UPD75316BGC-E28-3B9
- UPD75316BGK-713-BE9
- UPD75316BGK-716-BE9
- UPD75316BGK-749-BE9
- UPD75316FS08
- UPD75316GF
- UPD75316GF-071
- UPD75316GF-116
- UPD75316GF-191-3B9
- UPD75316GF-283-3B9
- UPD75316GF-327-3B9
- UPD75316GF3313B9
- UPD75316GF-454
- UPD75316GF-502-3B9
- UPD75316GF5083B9
- UPD75316GF-541
- UPD75316GF-552-3B9
- UPD75316GF569
- UPD75316GF-603-3B9
- UPD75316GF-656-3B9
公网安备44030402000607
