按照前面所介绍的方法，信号输LM3S9B95-IQC80-C5入到FET的源极，漏极作为输出，将栅极接地作为信号的基准电平（栅极接地具有非常重要的意义）。我们把这种电路称为栅极接地放大电路(Common Gate Amplifier或者Grounded Gate Amplifier)。
    栅极接地放大电路与双极晶体管电路的基极接地放大电路相当，在设计上由于输入阻抗低，所以应用时有一定的难度。但是它的重要特点是频率特性好，所以用作高频电路的放大器。
    图6.1是实验用栅极接地放大电路。由于栅极不加偏置就无法工作，所以与源极接地电路相同，用Ri、R2加偏置，用电容器C5交流接地。
    栅极是交流接地，源极同样地也是交流接地，所以直接将信号加在源极时，就不能工作。这是因为FET工作时栅极上的交流戍分原封不动地出现在源极上，所以栅极一源极间是处于交流短路的状态。
    因此要介入源极电阻Rs后再输入信号。电阻R3的作用是使源极电流流入地。
    其他部分的结构与图3.1的源极接地放大电路完全相同。
    照片6.1是组装在普通印刷电路板上的图6.1电路的照片。