- 产品的结构、构架与EMC2017/6/6 21:16:09 2017/6/6 21:16:09
- 结构是产品的重要组成部分,结构不能单独成为EMC问题的来源,但却是解决EMC问题的重要途径。L4987CPT50电磁场屏蔽、良好的接地系统,以及耦合的避免都要借助于良好的结构设计。...[全文]
- 产品中的差模信号和共模信号组成2017/6/6 20:03:06 2017/6/6 20:03:06
- 在实际的电路中,共模的干扰与差模的干扰是不断地在相互转换的,两根导线终端与地线之间存在着阻抗(这个阻抗应该考虑分布参数的影响)。L0109MTRP这两条线的阻抗一巳不平衡,在终端就会出现模式的相...[全文]
- 硅片的一次清洗采用典型的RCA清洗法2017/6/3 22:52:15 2017/6/3 22:52:15
- 硅片的一次清洗采用典型的RCA清洗法,程序为:去油污→去离子→去原子。硅片表面有机杂质的去除依次用甲苯、丙酮、TAS3001CPW无水乙醇棉球沿同定方向...[全文]
- 双阱工艺流程2017/5/30 12:10:41 2017/5/30 12:10:41
- 以加强栅控能力,抑制短沟道效应,提高器件的驱动能力和可靠性等。PAM2309AABADJR但随着栅氧化层厚度的不断减薄,至2nm时会遇到一系列问题,如栅的漏电流会呈指数规律剧增,硼...[全文]
- 工艺集成与封装测试 2017/5/29 17:03:52 2017/5/29 17:03:52
- 本单元介绍微电子器件制造工艺中芯片单项工艺以外的I艺技术。包含ICS557G-03LF章内容:第12章工艺集成;第13章I艺监控和第11章封装与测试。通过本单元的介绍能使读者对微电子器件制造工艺...[全文]
- 纳米压印光刻2017/5/27 20:26:56 2017/5/27 20:26:56
- 纳米压印光刻(Nan。Impol△tLithography,NIL)是由华裔科学家,美国普林斯顿大学的CHOU等在1995年首先提出的一种全新的纳米图形复制方法。H27U1G8F2BFR-BC它...[全文]
- 毛刺和钻蚀2017/5/24 22:03:49 2017/5/24 22:03:49
- 腐蚀时,如果腐蚀液渗透光刻胶膜的边缘,会使图形边缘受到腐蚀,从而破坏掩蔽扩散的氧化层或铝条的完整性。若渗透腐蚀较轻,图形边缘出现针状的局部破坏,HAT3008RJ-EL-E习惯上就称为毛刺;若腐...[全文]
- 浮胶 2017/5/24 21:58:26 2017/5/24 21:58:26
- 浮胶就是在显影和腐蚀过程中,由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与sO2或其他薄膜间的界面,HAT3008R-EL-E所引起的光刻胶图形胶膜皱起或剥落的现象。所以,浮胶现象的产生与胶膜的黏附性有密切关系...[全文]
- 前烘的温度和时间需要严格地控制2017/5/24 21:27:29 2017/5/24 21:27:29
- 前烘的温度和时间需要严格地控制,一般须在80~110℃的红外灯下或烘箱内烘烤5~10min。如果前烘的温度太低,除了光刻胶层与硅片表面的黏附性变差之外,HAT2093R-EL-E曝光的精确度也会...[全文]
- 蒸镀薄膜的质量及控制2017/5/22 19:45:20 2017/5/22 19:45:20
- 蒸镀工艺主要在制备微电子器件内电极或集成电路互连布线,以及光刻剥离技术时的金属或合金薄膜时采用,这时衬底表面多已覆盖有厚的氧化介质层或光刻胶,L4949ED并有光刻形成的接触孔窗口。因此,蒸镀薄...[全文]
- 闭管扩散与开管扩散设各相同2017/5/14 17:59:55 2017/5/14 17:59:55
- 闭管扩散与开管扩散设各相同,只是炉管封闭,其特点是把杂质源和将要扩进杂质的衬底片密封于同一石英管内,因而扩散的均匀性、重复性较好,R1224N102H-TR-F扩散时受外界影响小,在大面积深结扩...[全文]
- 氧化物窗口边缘扩散杂质等浓度曲线2017/5/14 17:51:41 2017/5/14 17:51:41
- 由图⒌13中曲线可见,硅内浓度比表面浓度低两个数量级以上时,横向扩散的距离约为纵向扩散距离的75%~85%,这说明横向结的距离要比垂直结的距离小。R1170H181B-T1-HB如果是高浓度扩散...[全文]
- 热氧化机理2017/5/11 22:30:41 2017/5/11 22:30:41
- 由二氧化硅基本结构单元可知,位于四面KM29U128T体中心的s原子与4个顶角上的氧原子以共价键方式结合在一起,s原子运动要打断4个sO键.而桥联氧原子的运动只需打断两个⒊O键,非桥联氧原子...[全文]
- 固溶度和相图2017/5/7 17:09:25 2017/5/7 17:09:25
- 在微电子产品中实际使用的衬底硅片不会是纯净的本征半导体,而是掺人了特定杂质的固溶体,是混合物材料。GD75232DWR通常采用固溶度和相图来表征混合物体系在热力学平衡状态下的性质。掺杂单晶硅,杂...[全文]
- 在微电子产品中作为衬底使用的硅片是完整晶态的单晶硅2017/5/6 18:09:05 2017/5/6 18:09:05
- 在微电子产品中作为衬底使用的硅片是完整晶态的单晶硅。纯单晶硅在室温下只有微弱的导电性,这时的导电性主要来源于本征激发,单晶硅是本征半导体。NCP18XH103J03RB当在晶体中掺人Ⅴ族的磷、砷...[全文]
- 选择固态继电器的带负载能力2017/5/5 21:14:19 2017/5/5 21:14:19
- 选择固态继电器的带负载能力由于继电器的额定负载是指纯阻性负载，因而选P8051AH用时应根据受控电路的电源电压和电流来选择固态继电器的输出电压和输出电流，予以不同的处理。如负载为电动机电路时触点...[全文]
- 多帧检测概率和虚警概率计算2017/5/1 14:43:53 2017/5/1 14:43:53
- 在实际的红外点目标检测系统中,根据单帧图像来判定目标有无,通常虚警概率会比较高,HCNW-4504如果单纯通过加大检测门限的办法来降低单帧的虚警概率,则会降低系统的检测概率,增加漏警概率,在大多...[全文]
- 红外探测器读出电路2017/4/23 20:30:54 2017/4/23 20:30:54
- 读出电路是红外探测器(尤其是红外焦平面阵列探测器)当中的十分重要的环节。FCA20N60相对于周围物体的红外辐射,被测物体的辐射信号一般都相当微小,光电流大小为纳安或者是皮安量级,要把这么小的信...[全文]
- Ptsi探测器2017/4/23 20:27:32 2017/4/23 20:27:32
- Ptsi探测器阵列是目前可实用的最大规模的红外图像传感器,已生产的产品方形结构面阵可达10z×10⒛元,FAS466/2405176矩形结构最大娲0ד0元。还有带16行或4行TDI功能的⒛鲳元...[全文]
- 载波的空间状态按信息规律变化2017/4/22 22:37:32 2017/4/22 22:37:32
- ①时间调制：载波的M4A2010S471EBP时间状态按信息规律变化。②空间调制：载波的空间状态按信息规律变化。③时空混合调制：载波的时间和空间都随信息规律变化。...[全文]
热门点击
公网安备44030402000607
