前烘的温度和时间需要严格地控制,一般须在80~110℃的红外灯下或烘箱内烘烤5~10min。如果前烘的温度太低,除了光刻胶层与硅片表面的黏附性变差之外, HAT2093R-EL-E曝光的精确度也会因为光刻胶中溶剂的含量过高而变差。同时,太高的溶剂浓度将使得显影液对曝光区和非曝光区光刻胶的选择性下降,导致图形转移效果不好c如果过分延长前烘时间,又会影响到产量。另外,前烘温度太高,光刻胶层的黏附性也会因为光刻胶变脆而降低。而且,过高的烘焙温度会使光刻胶中的感光剂发生反应,这就会使光刻胶在曝光时的敏感度变差。由于热能也能使光刻胶内树脂发生交联而不溶解,因此前烘不能过分,但也不能烘烤不足,不然会在显影时发生脱胶和图形畸变等现象。

    前烘通常采用干燥循环热风、红外线辐射以及热平板传导等热处理方式。在UIsI工艺中,常用的前烘方法是真空热平板烘烤。真空热平板烘烤可以方便地控制温度,同时还可以保证均匀加热。在热平板烘烤中,热量由硅片的背面传入,因此光刻胶内部的溶剂将向表面移动而离开光刻胶。如果处于光刻胶表面的溶剂的挥发速度比光刻胶内部溶剂的挥发速度快,当表面的光刻胶已经固化时,再继续进行烘焙,光刻胶表面将会变得粗糙,使用平板烘烤就可以解决这个问题。