纳米压印光刻(Nan。Impol△t Lithography,NIL)是由华裔科学家,美国普林斯顿大学的CHOU等在1995年首先提出的一种全新的纳米图形复制方法。H27U1G8F2BFR-BC它采用传统的机械模具微复型原理来代替包含光学、化学及光化学反应机理的复杂光学光刻,避免了对特殊曝光束源、高精度聚焦系统、极短波长透镜系统,以及抗蚀剂分辨率受光半波长效应的限制和要求。目前压印的最小特征尺寸可以达到5nm。NII'较之现行的投影光刻和其他下一代光刻技术,具有高分辨率、超低成本(国际权威机构评估同等制作水平的NIL比传统光学投影光刻至少低一个数量级)和高生产率等特点,已被纳人~9O05版的《国际半导体技术蓝图》,并排在16nm节点。现有的纳米压印光刻工艺主要包括热压印(HotEmbos⒍ng Lithography,HEL)、紫外纳米压印(UltraˉViolct NanoImpoIat htl△ography,U平NIL)和微接角虫印吊刂(Micr。c。ntact Print,uˉCP,R/IcP) 。

   纳米压印光刻技术实质上是将传统的模具复型原理应用到微观制造领域中。NⅡ'图形的转移是通过模具下压导致抗蚀剂流动并填充到模具表面特征图形中的,随后增大模具下压载荷致使抗蚀剂减薄,在抗蚀剂减薄过程中下压载荷恒定;当抗蚀剂减薄到后续工艺允许范围内(设定的留膜厚度)停止模具下压并固化抗蚀剂。与传统光刻工艺相比,它不是通过改变抗蚀剂的化学特性而实现抗蚀剂的图形化的,而是通过抗蚀剂的受力变形实现其图形化的。