- 隆额设计2012/4/30 17:51:10 2012/4/30 17:51:10
- 影响连接器可靠性的主要因素有插针EPM7128AETI100-7N插孑L材料、接点电流、有效接点数目、插拔次数和工作环境，连接器降额的主要应力是工作电压、工作电流和温度。对于连接器主要是降低其最高工...[全文]
- 消除绝缘失效模式的可靠性设计2012/4/30 17:24:50 2012/4/30 17:24:50
- 产生绝缘失效的主要机理有：绝缘材料MCX314AS老化及电晕、电弧烧灼碳化；绝缘材料本身或加工过程中带入金属杂质；产品受温度、压力、湿度及其他因素影响，绝缘件变质老化等；绝缘体存在残存应力；表面有尘...[全文]
- 消除接触失效模式的可靠性设计2012/4/30 17:22:10 2012/4/30 17:22:10
- 产生接触失效的主要机理有：①环境因素造成的，如接触表面尘ADXL346ACCZ-RL7埃沉积、有害气体吸附膜、结构诣振而接触瞬断等。②使用因素造成的，如摩擦粉末堆积、错插、反插及斜插使弹性接触件...[全文]
- 可靠性评价试验设计2012/4/30 17:16:07 2012/4/30 17:16:07
- 评价试验设计可分为单项应力试验设计、极限应KSP04H力试验设计和按技术标准考核的评价试验设计，其目的是为了验证连接器可靠性设计的正确性，了解所承受的极限应力与失效模式，评价连接器可靠性符合设计、技...[全文]
- 外壳结构设计2012/4/30 17:05:43 2012/4/30 17:05:43
- (1)外壳结构与要求外壳应具有良好的机械强度、牢固的B58291防护性、一定的屏蔽性、合适的安装固定方式，外壳结构还应具有良好的工艺性。连接器外壳根据使用要求进行结构设计时，应注意外壳结构的工...[全文]
- 抗辐射加固电子系统的设计技术2012/4/29 21:47:03 2012/4/29 21:47:03
- 在抗辐射加固电子系统的设计中，首要的任务是任何合理地选择半导体分立器件（表4.37是常用半导体分立器件抗辐射能力的比较），选择的一般原则是：所选用PCA9698DGG的器件既能实现线路的电气性能指...[全文]
- 攻关工艺试验方法2012/4/29 21:33:04 2012/4/29 21:33:04
- (1)攻关工艺试验的主要方法提高器件表面钝化效果从工艺SPW52N50C3的角度考虑有以下几种方法：①通过调节玻璃钝化时的热成型条件可以控制玻璃微晶化的程度从而控制器件高温反向漏电流。②通过...[全文]
- 失效数据统计分析2012/4/29 21:26:59 2012/4/29 21:26:59
- 为了进一步了解和分析该种二极ADC081C021CIMM管的失效模式，在此提供了硅微波PIN二极管在筛选、电试验和生产考核中的失效数据。表4.28提供的是某型号PIN二极管筛选时剔除的失效样管的统...[全文]
- 与栅电极金属相关的失效模式2012/4/28 19:58:24 2012/4/28 19:58:24
- GaAsFET器件的栅电极大都使用Al，而键合多DSEP8-12A用金丝，由于金丝与焊区形成有关的Al-Au反应和Al的电迁移，对可靠性有一定的影响。因此有把Al系以外的Cr，CrPtAu，TiW...[全文]
- 针对GaAs FET器件的失效模式，采取相应的设计措施2012/4/28 19:56:22 2012/4/28 19:56:22
- 有关GaAsFET的可靠性研究，1975年开始6B595N就有报告。早期的报告几乎全是关于耿氏二极管和碰撞雪崩二极管的失效分析，普遍认为器件特性的不良和劣化的原因主要由欧姆接触不良引起；器件的损坏...[全文]
- 洁净室空气净化要求2012/4/28 19:42:13 2012/4/28 19:42:13
- 半导体分立器件生产中，工艺环境的控制至STA408A关重要。器件有源区的面积愈大、光刻小条宽度愈小，要求净化的级别愈高。特别是Si、GaAs微波大功率器件、VHSICMMIC、千瓦级电力电子器件对...[全文]
- 光刻版和光刻胶的质量控制要求2012/4/28 19:29:14 2012/4/28 19:29:14
- 光刻版和光刻胶是微电子器件的LMC555CM重要辅助材料，它们对光刻工艺的质量起着决定性的作用。在微电子器件的生产过程中，光刻版和光刻胶的质量控制不当将会使图形边缘出现锯齿和尖峰，引起结的低压击穿和...[全文]
- 封装材料的质量控制要求2012/4/28 19:27:35 2012/4/28 19:27:35
- (1)空腔封装材料的质量控制金属和陶瓷封装的零部件除了对其PL2305H外引线进行上节所述的控制外还要控制密封性、引线间电阻和抗机械应力能力等特性。密封性的检测方法如下：①氟碳化合物粗检。②染...[全文]
- 钝化层质量对器件可靠性的影响2012/4/27 19:51:01 2012/4/27 19:51:01
- 半导体分立器件的表面钝化MJE15035G层主要有Si0：、PSG、Si。N。、聚酰亚胺等，其作用主要是防止管壳中的湿气对器件特性的影响，防止操作过程中表面擦伤及管壳空腔的微粒影响。S13N4钝化...[全文]
- S102薄膜的击穿机理2012/4/27 19:22:00 2012/4/27 19:22:00
- ①本征击穿：外电场超过介SG6742MRSY质材料的介电强度引起击穿。②非本征击穿：介质中存在微裂缝、气孔、灰尘、纤维丝等疵点，由气体放电、等离子体、电弧、电热分解等引起击穿。③自愈击穿：击穿产...[全文]
- 抗辐射环境设计2012/4/26 19:54:13 2012/4/26 19:54:13
- 航天环境和核环境工作的器件会受到能SR360量很大的质子、中子、电子和7射线的照射。这些粒子辐照不仅会造成器件结构微损伤，器件局部形成电荷堆积引起器件失效，还会引起数字电路的软失效。在内部结构设计中...[全文]
- 耐高低温、高湿度环境设计2012/4/26 19:50:31 2012/4/26 19:50:31
- 半导体器件对温度非常敏感，半导体材TDA8947J料的电阻率、载流子迁移率、少数载流子寿命、禁带宽度等都是温度的函数。因而，半导体器件参数是温度的敏感函数。1.耐高低温环境可靠性设计长期处于低温...[全文]
- 引线键合失效2012/4/25 19:26:17 2012/4/25 19:26:17
- 引线键合失效也是混合电路失效的主要原因之一。引线键合CY7C1049DV33-10ZSXI是一种金属与金属间的键合，连接机理有三种：金属一金属间的粘附键合、金属间化合物互扩散键合、金属间熔融“钎焊”...[全文]
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