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FET的工作原理2012/5/19 20:38:45
2012/5/19 20:38:45
图2.7是FET简单的TLP521GB/GR的结构示意图（P沟FET是P型半导体部分与N型半导体部分互换）。如图2.8所示，双极晶体管的基极一发射极间以及基极一集电极间分别是两个PN结，...[全文]
使用晶体管和FET的优缺点2012/5/19 19:59:51
2012/5/19 19:59:51
1．电子电路中使用晶体管和FET的优点(1)能够实现高性能。IC内部的半导体器件PS21867-P由于受制造条件的制约，其性能往往低于分立器件。因此设计者使用分立器件能够制作出比IC性能更优良的电...[全文]
将初缎进行渥尔曼一自举化的OP放大器2012/5/18 20:50:31
2012/5/18 20:50:31
图12.26是将初级的差动放大TPS61042DRBR电路进行渥尔曼一自举化之后的OP放大器电路。进行渥尔曼一自举化之后的差动放大电路的特性变好，直至高频范围，电路都稳定地进行工作。即使在该电路，由...[全文]
作为同相放大电路工作时2012/5/18 20:25:07
2012/5/18 20:25:07
图12.14是将4549作MSP430F135IPMR为增益为10倍(一20dB)的同相放犬器使用的电路。照片12.9是在该电路输入lkHz、1VP-P的正弦波时的输入输出波形。输出电压为10VP...[全文]
决定相位补偿电路Cl与R42012/5/18 20:13:30
2012/5/18 20:13:30
放大电路的输出信号相对MSP430F415IPMR于输入信号而言，频率越高就越滞后。所以，如负反馈那样，也将相位差180。的信号返回到输入端，在高频范围，反馈的信号相位渐渐接近输入信号的相位，最后成...[全文]
要设计的OP放大器的电路结构2012/5/18 19:48:26
2012/5/18 19:48:26
对ⅡPC4570电路进行分析TMS320LF2406APZA就明白，它是一个很好的电路。在这里进行设计的OP放大器也将采用该电路的结构。但是，照图12.7昀原样，晶体管的数目太多，所以去掉附在初级...[全文]
噪声特性2012/5/17 19:57:59
2012/5/17 19:57:59
图11.16是将输入1与输入2同GND短路Q13MC1461000100进行测量时的噪声频谱。输出1与输出2几乎都是同样的特性（在频率低处噪声大，是由于电源的噪声波漏到输出端的缘故）。噪声的大小几...[全文]
决定Ri与Rz2012/5/17 19:46:31
2012/5/17 19:46:31
下面确定Ri与Rz。该电阻是决定UA2-5NJ输入阻抗的，同时也兼有将Tri与Tr2的基极电位偏置在OV的偏置电路的作用。由设计规格可知，输入阻抗必须为lOkfl，所以在这里什么也不用考虑就可以设...[全文]
输入输出端各两条2012/5/16 20:31:49
2012/5/16 20:31:49
图11.2表示的是在这里进行实LP2950ACDT验的差动放大电路的电路图。差动放大电路是将两个晶体管Tri与Tr2的发射极之间进行连接，并将稳流源Tr3连接到发射极的电路上。输入是各个晶体管的基...[全文]
差动放大电路的设计2012/5/16 20:22:26
2012/5/16 20:22:26
本章对OP放大器的7027A-1基本技术进行实验。差动放大电路(differentialAmpli-fier)在用分立元件组装电路的时代是有名的电路，常常在电路中见到它的“姿容”。差动放大电路的...[全文]
在正负电源上的应用2012/5/16 20:03:49
2012/5/16 20:03:49
该电路是作为正电源来TL431BIDBZR考虑的，但是将图10.5的正输出端（Tr．的发射极）接到负载的GND上，图10.5的GND的输出端接到负载的负电源端上，就能够作为-3～-15V输出的可变电...[全文]
电源周围的设计与晶体管的选择2012/5/15 19:34:19
2012/5/15 19:34:19
即使是使用两只晶体管的负反馈AQV210S放大电路，其电源电压也完全与共发射极放大电路时一样，取比最大输出电压（峰一峰值）与发射极上的压降(1V以上)的和还稍大一些的值。因此，该电路的电源电压有必要...[全文]
确实是负反馈吗2012/5/15 19:31:18
2012/5/15 19:31:18
然而，如将Tri的发射极电位VEL，与输出74HCT4066D电压VO的相位作一比较，由于Vel的交流成分与Vi相同，则如照片9.2所示，VEL与Vi是同相的（相位差为O）。所谓“负反馈”是将反相...[全文]
负反馈放大电路的设计2012/5/15 19:14:10
2012/5/15 19:14:10
本章对增益大的二级耦合电LM348N路进行实验。用一只晶体管制作放大电路的电压增益（无论如何努力）达到40～60dB就很不错了。且在极度地提高增益时，因HFE的分散性电路的最大增益是由hFE决定的，...[全文]
决定电源电压2012/5/14 20:41:04
2012/5/14 20:41:04
可以将共发射极电路时的电源IRF7316TRPBF电压取为比最大输出电压（峰一峰值）+发射极电阻上的压降(1V以上)稍大些的值。但是在渥尔曼电路中，还必须考虑到加在图8.2Tri（下面晶体管）的篥电...[全文]
使用PNP晶体管的射极跟随器2012/5/14 20:05:03
2012/5/14 20:05:03
图7.16是电压增益为6dB的视频信IPP015N04NG号放大电路。该电路的射极跟随器的一部分是用PNP晶体管制作的。将晶体管许多级以直接连接——没有加入耦合电容而进行放大级间的耦...[全文]
频率特性与群延迟特性2012/5/14 19:38:26
2012/5/14 19:38:26
在图7.11中，表示制作完成的电IRFS3004-7PPBF路的振幅频率特性与群延迟特性。因为该电路使用了共基极放大电路，所以即使用通用晶体管2SC2458，截止频率也达到6.3MHz，频率特性得...[全文]
电路工作波形2012/5/11 20:14:18
2012/5/11 20:14:18
照片4.3是输出端接有8fl电FM24C04A-S阻负载，输入lkHz、0.2Vpeak的正弦波信号时的输入输出波形。在电压放大部分采用共发射极放大电路，所以相对于输入输出是反相的。照片4.4是输...[全文]
输出电路周边的元件2012/5/11 20:11:10
2012/5/11 20:11:10
Tr3与Tr。的发射极电阻R，和R8起着限制输FM22L16出电流，吸收Tr3与Tr。的VBE值随温度变化的作用。但是，如该电路那样，发射极电阻值小时，不能对温度变化的吸收有太高的期望。R7与Rs的...[全文]
防止热击穿2012/5/11 19:52:11
2012/5/11 19:52:11
图4.2(c)是在图4.2(b)电路中接入发射FM18L08-70-SG极电阻来吸收VF与VBE的电压差，从而限制发射极电流的电路。空载时的集电极电流被限制在(VF-VBE)/R。该电路...[全文]
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