图2.7是FET简单的TLP521GB/GR的结构示意图（P沟FET是P型半导体部分与N型半导体部分互换）。

    如图2.8所示，双极晶体管的基极一发射极间以及基极一集电极间分别是两个PN结，就是说存在着二极管。JFET．的栅极与沟道（把输出电路流过漏极一源极间的部分称为沟道）间有PN结，所以认为存在着二极管(由于有PN结，所以称为结型FET)。
    双极晶体管的基极一发射极间的二极管总是工作在导通状态，而JFET的栅极一沟道间的二极管工作在截止状态。
    因此FET的栅极一沟道间流过的电流很小，只相当于二极管的反向漏电流，所以器件本身的输入阻抗比双极晶体管高得多（约l08～1012Q）。

             
    MOSFET的栅极是由金属构成的，它与半导体沟道之间有一层绝缘膜，形成三层结构。所谓MOS，就是因为实际的结构是由金属(M)、绝缘膜(如氧化膜，O)和半导体(S)组成。
    MOSFET的特点是栅极与沟道间有绝缘膜，栅极与沟道是绝缘的，所以流过栅极的电流比JFET还要小很多。因此，输入阻抗也比JFET高得多(约l012～1014Q)。